技术向 | 浅谈SiC MOSFET栅极串扰抑制(技术思考)
无论正向还是负向串扰，其物理本质都是开关管高速开关动作过程中的高dVdt通过米勒电容耦合产生的位移电流，流经栅极驱动回路阻抗，并在栅源电容上充放电，从而干扰了栅源控制电压的稳定性，如图1所示。 通过在栅源…
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