刻蚀过程中，KOH对不同晶向的硅具有不同的腐蚀速率，从而导致特定角度的斜面形成。典型角度：当使用KOH刻蚀Si(100)晶向时，形成的斜面与硅片表面的夹角为54.7°。 加入异丙醇（IPA）可抑制(111)…
