这台标志着中国首台半导体级步进纳米压印光刻系统的设备,实现了线宽<10nm的工艺精度,在残余层控制(<10nm)、深宽比(>7:1)等核心指标上超越日本佳能同类产品,成功突破了日本佳能长期垄断的纳米压印光刻…