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  • 泛林公布干式光刻胶进展:可在后道工艺实现 28nm 间距直接图案化

    泛林公布干式光刻胶进展:可在后道工艺实现 28nm 间距直接图案化

    4月前

    IT之家 1 月 26 日消息,泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间本月 14 日宣布,其干式光刻胶技术成功通过 imec 认证,可直接在逻辑半导体后道工艺(IT之家注:BEOL,互联层制作)…

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