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闪存

  • 消息称铠侠因估值分歧过大放弃原定本月 IPO:投资者欲大致砍半到 8 千亿日元

    消息称铠侠因估值分歧过大放弃原定本月 IPO:投资者欲大致砍半到 8 千亿日元

    4月前

    铠侠大股东贝恩资本对该企业的估值约为 1.5 万亿日元,目前 NAND 闪存价格上涨陷入停滞。

  • 美光下调 10% NAND 闪存产能利用率以应对市场需求放缓

    美光下调 10% NAND 闪存产能利用率以应对市场需求放缓

    4月前

    美光在 NAND 领域正采取迅速而果断的行动来降低资本支出并削减晶圆产量,以维持供应纪律。

  • NAND 闪存过剩预计价格暴跌:消息称三星西安工厂大幅减产,SK 海力士自信增产

    NAND 闪存过剩预计价格暴跌:消息称三星西安工厂大幅减产,SK 海力士自信增产

    4月前

    这似乎是保护盈利能力的一项措施,因为随着全球 NAND 持续供过于求,预计今年价格将暴跌。考虑到 SK 海力士正在增加 NAND 供应规模,三星电子似乎已经决定,无法以当前的 NAND 工艺维持过去压倒性的生产力。

  • TrendForce:预估三季度 NAND 闪存产品合约价涨幅收窄至 5~10%

    TrendForce:预估三季度 NAND 闪存产品合约价涨幅收窄至 5~10%

    4月前

    下半年几大原厂积极增产,消费电子领域需求持续不振,导致三季度 NAND 供过于求更为明显。

  • 业内同等容量最小芯片尺寸,至讯创新 512Mb 工业级 NAND 闪存量产

    业内同等容量最小芯片尺寸,至讯创新 512Mb 工业级 NAND 闪存量产

    4月前

    这款全新的闪存芯片完全达到工业级要求拥有10万次PE周期的擦写耐久。

  • TrendForce:HBM、QLC 崛起,助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

    TrendForce:HBM、QLC 崛起,助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

    4月前

    HBM 今年将贡献 DRAM 整体营收的 20%;QLC 今年将占到整体 NAND 位元出货的两成。

  • 铠侠宣布日本岩手县北上市 K2 制造大楼完工,2025 年秋季投入运营

    铠侠宣布日本岩手县北上市 K2 制造大楼完工,2025 年秋季投入运营

    4月前

    该工厂于 2022 年开始建设,原定于 2023 年完工,受到 NAND 行业低谷期影响,建设进度推迟。

  • 支持 4800MTs,JEDEC 推出 NAND 闪存接口互操作性标准 JESD230G

    支持 4800MTs,JEDEC 推出 NAND 闪存接口互操作性标准 JESD230G

    4月前

    目前接口速率最快的已量产 NAND 闪存是美光的 276 层 G9 TLC,可达 3600MTs;JESD230G 为未来的性能扩展打下了规范侧的地基。

  • TrendForce:NAND 闪存产业 2025Q3 整体营收 176 亿美元,环比增长 4.8%

    TrendForce:NAND 闪存产业 2025Q3 整体营收 176 亿美元,环比增长 4.8%

    4月前

    今年三季度 NAND 闪存行业已出现 2% 出货存储容量下降,而 2024Q4 的订单和单价情况将更为恶劣,可能导致整体营收下滑近 10%。

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