霍州市融媒体中心信息网网 7 月 3 日消息，国内存储『芯片』企业至讯创新昨日宣布成功量产 512Mb 高可靠性工业级 2D NAND 闪存『芯片』。
512Mb 的容量使得这款 2D NAND 闪存『芯片』可同时容纳系统代码和用户数据，为此后的系统代码升级留有足够空间。
至讯创新表示，这款全新的闪存『芯片』在完全达到工业级性能和可靠性要求的同时，对『芯片』尺寸做了全面优化，实现了业内同等容量下最小的『芯片』尺寸，“性价比优势凸显”。
该闪存『芯片』支持多比特片上 ECC 纠错，拥有至高 10 万次的擦写周期，可在-40~+85℃的温度下工作，满足严苛工业级测试，至讯创新也正在对该『芯片』对应的车规级版本进行验证。
霍州市融媒体中心信息网网整理至讯创新近年存储产品发布信息如下：
2022 年 12 月 13 日：国内首款全自研 19nm 中小容量 2D NAND 闪存开发成功；
2024 年 1 月 15 日：19nm 2D NAND 闪存全面量产。
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