晶合集成获得发明专利授权：“在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件”
4天前证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件”，专利申请号为CN202510262515.7，授权日为20…
数控车床和数控铣床有什么区别
8天前结构:数控车床是主要用车刀对旋转的工件进行车削加工的机床。在数控车床上还可用钻头、扩孔钻、铰刀、丝锥、板牙和滚花工具等进行相应的加工。数控铣床是将毛坯固定,把零件通过三抓卡盘夹在机床主轴上。运转方式:数控车床…
普力密封取得开口大的泛塞封专利，防止低压泄漏
10天前金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，苏州普力密封科技有限公司取得一项名为“一种开口大的泛塞封”的专利，授权公告号CN222950413U，申请日期为2023年12月。 专利摘要显示，本实用新…
广微集成申请防止沟槽肖特基二极管晶圆背腐进酸专利，优化沟槽结构为蓝膜均匀覆盖提供基础
1月前专利摘要显示，本发明公开了一种防止沟槽肖特基二极管晶圆背腐进酸的方法，包括以下步骤：采用多个梯形夹具间隔固定于晶圆的边缘环形区域，所述梯形夹具的底部朝向晶圆的光刻图形区域，使得梯形夹具与所述边缘环形区域接触…
30V 150A！矽源特ChipSourceTek-PE83H5P MOS 新秀
1月前先进沟槽技术：采用领先的沟槽工艺，矽源特ChipSourceTek-PE83H5P实现了更佳的电流分布和更低的导通阻抗，这是对传统技术的一次飞跃，也是对品质与创新的不懈追求。 矽源特深知用户体验的重要性，…
苏州龙驰申请电容耦合栅控结型场效应晶体管专利，提高体二极管的导通能力
1月前金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“电容耦合栅控结型场效应晶体管”的专利，公开号CN119947200A，申请日期为2025年1月。 专利摘要显示，本…
微源 LPM9015 20V5.0A P沟道功率MOSFET
1月前描述： LPM9015采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON），该器件适用于负载开关或PWM应用。 特征：超高密度电池设计，超低RDS（ON） SOT23封装 电源管理 详情请咨询我司业务1598678…
微源 LPM9031 双通道N沟道MOSFE
1月前描述: LPM9031 是一款双通道 MOSFET，结合了先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。此器件适用于负载开关或 PWM 应用。 特征： 100%EAS保证 绿色设备…
镀锌钢管预埋免焊接接头
1月前可拆性强：便于管道系统的维护、修理和改造，在需要对管道进行改动或更换时，能快速拆卸和重新连接，而不会像焊接接头那样需要切割或破坏管道。 安装要求严格：虽然安装过程相对简单，但对安装的精度和操作规范要求较高，…
微源 LPM3400 N沟道增强型场效应晶体管
1月前LPM3400采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.1V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或在PWM应用中使用。 20V5A，RDS（ON）＜33mΩ（最大值）@VGS=4…
微源 LPM9007 30V4A P沟道增强型场效应晶体管
1月前LPM9007是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，在这些电路中需要高侧开关。 超高密度电池设计，实现…
微源 LPM2302 20V3.5A N沟道增强型场效应晶体管
1月前LPM2302是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和需要高侧开关的其他电池供电电路。 超高密度电池设计，超低RDS（ON…
如何判断同步带轮是否需要更换？
1月前●外观检查：观察同步带轮的齿面，特别是带齿部分。如果发现带齿边缘变平、出现沟槽或者有明显的磨损痕迹，表明同步带轮可能需要更换。 通过上述方法，可以有效地判断同步带轮是否需要更换，并及时进行维护，确保传动系统…
量产、储备、预研：SiC沟槽栅器件突破背后芯粤能的技术迭代密码与市
2月前针对要求极高的新能源汽车主驱市场，芯粤能将MOSFET作为主要创新领域，目前第一代、第二代平面MOSFET工艺平台均已实现成熟量产，第三代和第四代平面MOSFET工艺平台也已进入开发阶段。 针对价格挑战，芯粤…
轻松掌握不锈钢管道的六大连接方法
3月前其原理是将薄壁不锈钢水管插入卡压式管件的承口，利用专用卡压工具对管件和管材同时进行挤压，形成六角形截面，加之O型密封圈的作用，实现密封和固定。环压式连接具有接触面大、密封性强、安装简便等优点，适用于各种口径的…
泛林推出全球首台钼原子层沉积设备 ALTUS Halo，已获美光等应用
3月前月 21 日消息，半导体设备巨头泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间 19 日宣布正式推出全球首型钼（Mo）原子层沉积（注：即ALD）设备 ALTUS Halo，该设备已在逻辑半导体和 3D…
新洁能授权代理 NCE0224AK N沟道增强型功率MOSFET
4月前描述： NCE0224AK采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 完全表征的雪崩电压和电流具有高电场开启特性的良好稳定性和均匀性 优秀的封装以实现良好的散热 电源切换应…
安徽弗西斯取得沟槽管件卡头铸造工装专利，方便处理覆膜砂
4月前金融界2025年1月30日消息，国家知识产权局信息显示，安徽弗西斯机械科技有限公司取得一项名为“一种沟槽管件卡头覆膜砂铸造用工装”的专利，授权公告号CN 222403350 U，申请日期为 2023年12月…