广微集成申请防止沟槽肖特基二极管晶圆背腐进酸专利，优化沟槽结构为蓝膜均匀覆盖提供基础

金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，广微集成技术（深圳）有限公司申请一项名为“一种防止沟槽肖特基二极管晶圆背腐进酸的方法”的专利，公开号CN119997522A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明公开了一种防止沟槽肖特基二极管晶圆背腐进酸的方法，包括以下步骤：采用多个梯形夹具间隔固定于晶圆的边缘环形区域，所述梯形夹具的底部朝向晶圆的光刻图形区域，使得梯形夹具与所述边缘环形区域接触的区域与光刻图形区域之间形成一个钝角；进行多晶硅淀积、反刻蚀工艺；进行钝化层淀积、干法刻蚀以及金属化工艺；进行『芯片』减薄工艺，在正面贴蓝膜保护，然后进酸腐蚀液进行背面腐蚀工艺。该方法采用梯形夹具设计和高选择比刻蚀气体SF6，优化了沟槽结构和多晶硅层的厚度，使得沟槽内壁的坡度更加平缓，为后续蓝膜的均匀覆盖提供了良好的基础。

天眼查资料显示，广微集成技术（深圳）有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事其他服务业为主的企业。企业注册资本2176.47万人民币。通过天眼查大数据分析，广微集成技术（深圳）有限公司财产线索方面有商标™️信息2条，专利信息37条，此外企业还拥有行政许可14个。