消息称SK海力士1c nm DRAM内存良率约为80% 触及量产及格线
SK海力士的1cnmDRAM内存工艺近期良率约为80%,较去年下半年的六成有明显提升。一般而言DRAM内存工艺在良率达到80%~90%时就可进入正式量产,SK海力士的1c nm制程即将达到大规模生产所需的…
SK海力士的1cnmDRAM内存工艺近期良率约为80%,较去年下半年的六成有明显提升。一般而言DRAM内存工艺在良率达到80%~90%时就可进入正式量产,SK海力士的1c nm制程即将达到大规模生产所需的…
据称,三星电子 2nm 工艺(SF2)取得了高于预期的初始良率,在 Exynos 2600 的试生产中良率约为 30% 左右。 SF2是三星电子代工部门计划在今年下半年量产的最新工艺,采用第三代 GAA …