消息称SK海力士1c nm DRAM内存良率约为80% 触及量产及格线

科技2025-04-08阅读 56+

SK海力士的1c nmDRAM内存工艺近期良率约为80%，较去年下半年的六成有明显提升。一般而言DRAM内存工艺在良率达到80%~90%时就可进入正式量产，SK 海力士的1c nm制程即将达到大规模生产所需的水平。

本站所有文章、数据、图片均来自互联网，一切版权均归源网站或源作者所有。文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，结果仅供参考，今日霍州所有文章均包含本声明。