计划在韩国华城和平泽扩大1c DRAM (第六代10nm等级) 制程产线，投资年底启动。 三星还考虑在2025年底前将华城17号生产线从1zDRAM (第三代10nm等级) 制程技术转为 1c DRAM技…
2023年以来，三星一直在推动将西安工厂的主流128层（V6）NAND工艺过渡到236层（V8）生产线。 2024年下半年致力于将400层（V10）NAND应用于平泽P1工厂的量产线，可能在下半年实现初步量…
