矽源特ChipSourceTek-PE5090Q是VDS=100V, ID=90A,RDS(ON)<8mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<10mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型功率Mosfet。提供TO-220封装。(矽源特
The 矽源特ChipSourceTek-PE5090Q uses deep trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate cha…
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矽源特ChipSourceTek-CSTS150P06G P沟道MOSFET采用Split Gate Trench技术，低导通电阻、高电流承载能力，具备散热与能效表现，适用于高功率同步整流应用。(矽源特音频『芯片』有哪些)
这款器件在-60V的BVDSS额定电压下，能够承载-150A的持续漏极电流，同时实现仅3.4mΩ的超低导通电阻，显著降低功率损耗。对于并联应用场景，需注意动态均流设计——在栅极串联0.5Ω电阻可改善电流分配不…
矽源特ChipSourceTek-CSTS150P06G是BVDSS=-60V, ID=-150A,RDSON=3.4mΩ的P沟道快速开关Mosfet。提供TO263封装。(矽源特科技官网)
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矽源特ChipSourceTek-PE83H5PT是VDS=30V, ID=150A,RDS(ON)<2.6mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<4mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-263封装。
The 矽源特ChipSourceTek-PE83H5PT uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gat…
矽源特ChipSourceTek-PE40P95G是VDS=-40V, ID=-95A,RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供PDFN5x6-
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新洁能授权代理 NCEP1505S N沟道超深槽功率MOSFET
NCEP1505S采用Super Trench技术，该技术经过独特优化，以提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和…
