矽源特ChipSourceTek-PE2305AT是SOT-23封装,16V, I5.5A,的P-Mosfet。提供SOT-23封装。
25天前The 矽源特ChipSourceTek-PE2305B uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate…
矽源特ChipSourceTek-PE83H5PT是VDS=30V, ID=150A,RDS(ON)<2.6mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<4mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-263封装。
1月前The 矽源特ChipSourceTek-PE83H5PT uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gat…
矽源特ChipSourceTek-PE40P95G是VDS=-40V, ID=-95A,RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供PDFN5x6-
1月前矽源特ChipSourceTek-PE40P95G是VDS=-40V, ID=-95A,RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet…
新洁能授权代理 NCEP1505S N沟道超深槽功率MOSFET
4月前NCEP1505S采用Super Trench技术，该技术经过独特优化，以提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和…