新洁能授权代理 NCEP1505S N沟道超深槽功率MOSFET

描述：

NCEP1505S采用Super Trench技术，该技术经过独特优化，以提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

特征：

VDS =150V,ID =5.1A

RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=10V ( Typ: 55mΩ)

出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）

极低的导通电阻RDS(on)

150°C工作温度

应用：

直流/直流转换器和离线不间断电源

高压同步整流器

硬开关和高频电路

不间断电源

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