n沟道增强型mos管(n沟道增强型mosfet)
源极和漏极：在衬底上利用扩散工艺制作两个高掺杂浓度的 N+区，分别作为源极（Source）和漏极（Drain）。电流控制：通过调节栅极电压的大小，可以控制导电通道的电导率，进而控制流过 MOS 管的电流大小…
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