N 沟道增强型 MOS 管（N-Channel Enhancement-Mode MOSFET）是一种常见的 MOSFET 类型，以下是关于它的详细介绍：
结构组成
- 衬底：采用低掺杂浓度的 P 型硅片作为衬底。
- 源极和漏极：在衬底上利用扩散工艺制作两个高掺杂浓度的 N+ 区，分别作为源极（Source）和漏极（Drain）。
- 栅极：在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅（SiO₂）绝缘层，在漏 - 源极间的绝缘层上再装上一个铝电极，作为栅极（Gate）。
- 绝缘层：栅极与衬底之间有一层绝缘的氧化硅（SiO₂）层。
工作原理
- 无栅极电压时：源极和漏极之间不存在导电通道，电流无法流过。
- 施加正栅极电压时：当栅极与源极之间的电压（Vgs）大于阈值电压（Vgs(th)）时，会在 P 型衬底表面形成一个 N 型导电通道，电流可以从源极流向漏极。
- 电流控制：通过调节栅极电压的大小，可以控制导电通道的电导率，进而控制流过 MOS 管的电流大小。
特性
- 高输入阻抗：由于栅极和半导体之间有绝缘层，栅极几乎不会吸收任何电流，因此具有非常高的输入阻抗。
- 开关特性：在数字电路中常用作开关，当 Vgs > Vgs(th) 时，MOS 管导通，相当于开关闭合；当 Vgs < Vgs(th) 时，MOS 管截止，相当于开关打开。
- 频率特性：高输入阻抗和快速的开关特性使其适合用于高频应用。
应用场景
- 开关电路：用于控制电路的通断，如在电源电路中作为开关元件。
- 放大器：利用其电流控制特性实现信号放大。
- 电压调节：在稳压电路中，通过调节栅极电压来控制输出电压。
- 电机控制：用于驱动电机，通过控制 MOS 管的导通和截止来实现电机的启停、调速等功能。
- 电流驱动：为负载提供稳定的电流
