肖特基LSI公司申请平面SCMOS制造工艺的前段制程和中段制程专利，涉及集成金属氧化物半导体和肖特基势垒二极管
1天前金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，肖特基LSI公司申请一项名为“平面SCMOS制造工艺的前段制程（FEOL）和中段制程（MOL）”的专利，公开号CN120167141A，申请日期为202…
无锡英骓科技取得可穿戴设备生产线用传送机构专利，避免处于中段部分的传送辊与传送带摩擦力小无法转动
1月前金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，无锡英骓科技发展有限公司取得一项名为“一种可穿戴设备生产线用传送机构”的专利，授权公告号CN222743411U，申请日期为2024年7月。 专利摘要显…