肖特基LSI公司申请平面SCMOS制造工艺的前段制程和中段制程专利，涉及集成金属氧化物『半导体』和肖特基势垒二极管

金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，肖特基LSI公司申请一项名为“平面SCMOS制造工艺的前段制程（FEOL）和中段制程（MOL）”的专利，公开号CN120167141A，申请日期为2023年09月。

专利摘要显示，本申请涉及集成金属氧化物『半导体』(MOS)晶体管和肖特基势垒二极管(SBD)。一种集成的平面『半导体』装置包含：衬底、在所述衬底上接合SBD『半导体』和阻挡金属的SBD，以及形成于所述衬底上并且包含栅极、源极和漏极的MOS晶体管。所述MOS晶体管的所述栅极的一部分从所述MOS晶体管延伸到所述SBD并且与所述SBD『半导体』接触。在一些实施方案中，所述MOS晶体管的所述漏极包含扩展漏极结构。所述SBD『半导体』包含第一『半导体』部分和第二『半导体』部分。所述扩展漏极结构的掺杂分布与所述第二『半导体』部分的掺杂分布基本上相同。所述MOS晶体管的沟道区的掺杂浓度与所述第一『半导体』部分的掺杂浓度基本上相同。