肖特基LSI公司申请平面SCMOS制造工艺的前段制程和中段制程专利，涉及集成金属氧化物半导体和肖特基势垒二极管

金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，肖特基LSI公司申请一项名为“平面SCMOS制造工艺的前段制程（FEOL）和中段制程（MOL）”的专利，公开号CN120167141A，申请日期为2023年09月。

专利摘要显示，本申请涉及集成金属氧化物半导体(MOS)晶体管和肖特基势垒二极管(SBD)。一种集成的平面半导体装置包含：衬底、在所述衬底上接合SBD半导体和阻挡金属的SBD，以及形成于所述衬底上并且包含栅极、源极和漏极的MOS晶体管。所述MOS晶体管的所述栅极的一部分从所述MOS晶体管延伸到所述SBD并且与所述SBD半导体接触。在一些实施方案中，所述MOS晶体管的所述漏极包含扩展漏极结构。所述SBD半导体包含第一半导体部分和第二半导体部分。所述扩展漏极结构的掺杂分布与所述第二半导体部分的掺杂分布基本上相同。所述MOS晶体管的沟道区的掺杂浓度与所述第一半导体部分的掺杂浓度基本上相同。