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  • 消息称三星电子 HBM4 内存逻辑芯片进展较佳但 DRAM 芯片面临困境

    消息称三星电子 HBM4 内存逻辑芯片进展较佳但 DRAM 芯片面临困境

    1月前

    据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道,三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了 40%的良率,这高于一般的 10% 起点,也好于此前同制程产品的不足 20%。 …

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