这款P沟道增强型电源MOSFET犹如电力系统的精密闸门,在-60V的漏源电压(VDS)与-20A的持续电流(ID)下展现卓越性能。其导通电阻(RDS(ON))指标尤为亮眼:当栅源电压(VGS)为-10V时低…