矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=20A,RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2

矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=20A,RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2

矽源特ChipSourceTek-PE60P20K产品说明:

这款P沟道增强型电源MOSFET犹如电力系统的精密闸门,在-60V的漏源电压(VDS)与-20A的持续电流(ID)下展现卓越性能。其导通电阻(RDS(ON))指标尤为亮眼:当栅源电压(VGS)为-10V时低于80mΩ,-4.5V时亦能控制在115mΩ以内,如同为电流铺设了一条低阻高速通道。

该器件采用先进的深槽工艺技术,如同在硅晶上雕琢出纳米级的立体迷宫,不仅实现了优异的导通电阻特性,更具备极低的栅极电荷。TO-252-2L表面贴装封装使其如同电子电路板上的精悍卫士,既满足无铅环保要求,又展现出强大的功率承载能力。

应用领域:

• 脉宽调制(PWM)系统——宛如精准的电子节拍器

• 负载开关电路——扮演着电力分配智能管家的角色

• 电源管理系统——如同能源调度的神经中枢

(注:开关测试电路与波形图部分建议保留原始技术图示,此处以文字标注示意)

特别声明:[矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=20A,RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2] 该文观点仅代表作者本人,今日霍州系信息发布平台,霍州网仅提供信息存储空间服务。

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