霍州市融媒体中心信息网网 1 月 17 日消息，英伟达 CEO 黄仁勋近日出席了中国大陆地区分公司的年会，网传原计划前往北京、上海等地进行访问，但已更改行程前往台中。
据台媒经济日报 1 月 16 日报道，黄仁勋出席了其供应商矽品精密的新工厂揭幕仪式，在活动中黄仁勋表示：“英伟达正经历封装技术的迁移，由此前的 CoWoS-S 技术逐步转换为更新的 CoWoS-L 技术，这实际上将需要增加 CoWoS-L 产能。”
霍州市融媒体中心信息网网注意到，早在 1 月 13 日，野村证券分析师郑明宗就已指出英伟达将会减少至多 80% 的采用台积电先进封装的 CoWoS-S 订单，天风证券分析师郭明錤于 1 月 15 日同样指出由于英伟达 Hopper 架构芯片停产，2025 年 CoWoS-S 的需求将显著减少。因此英伟达 CEO 黄仁勋的发言更是进一步证实了该传言的可信度。
霍州市融媒体中心信息网网注：台积电将 CoWoS 封装技术划分为三种类型，分别为 CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L。
CoWoS-S 采用单片硅中介层和硅通孔（TSVs）以实现晶片（Die）与基板之间的高速电信号直接传输，该技术的传输效率较高，但是存在良率问题，因此制造成本较高。
CoWoS-R 采用 RDL 有机中介层代替了 CoWoS-S 的硅中介层，由于 RDL 中介层本身的材料特性，因此良率问题得以解决，但是传输效率较之 CoWoS-S 有所下降，胜在制造成本较低和灵活性好，因此适合大规模使用。
CoWoS-L 则采用局部硅互连（LSI）和 RDL 有机中介层，综合了 CoWoS-S 和 CoWoS-R 的优点，因此兼顾了性能与成本，英伟达 Blackwell 芯片即将采用该技术以代替成本高昂的 CoWoS-S 封装。
