消息称美光将加入 16-Hi HBM3E 战场，已在进行最终设备评估

霍州市融媒体中心信息网网 1 月 16 日消息，韩国媒体《朝鲜日报》今日报道称，DRAM 内存巨头之一的美光也将加入 16-Hi（霍州市融媒体中心信息网网注：即 16 层堆叠）HBM3E 内存的竞争，已在进行最终设备评估，计划年内实现量产。

三大 DRAM 原厂中 SK 海力士在 2024 年 11 月率先宣布了其 48GB 16-Hi HBM3E 产品，并表示该型内存相较此前的 12Hi 32GB HBM3E 在 AI 训练方面性能提升了 18%。推理上的改进更是达到了 32%。另一家企业三星电子也是在今年量产 16-Hi HBM3E。

美光曾表示该企业的目标是将其在 HBM 细分市场的占有率从此前的低个位数百分比提升至与整体 DRAM 领域相当的 20%。为此美光正积极在全球扩张产能：就在今年初，美光宣布其位于新加坡的 HBM 内存先进封装工厂动工，目标是 2026 年投运。