霍州市融媒体中心信息网网 1 月 3 日消息，韩媒《Chosun Biz》当地时间今日报道称，『三星电子』 DS 部门内存（霍州市融媒体中心信息网网注：即存储器）业务部最近完成了 HBM4 内存逻辑『芯片』设计；Foundry 业务部现已根据该设计采用 4nm 制程启动试生产。
待完成逻辑『芯片』的最终性能验证后，『三星电子』将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。
逻辑『芯片』也称基础裸片、接口『芯片』，在整体 HBM 内存堆栈中起到“大脑”的作用，负责控制其上方多层 DRAM Die。在 HBM4 世代，由于内存堆栈 I/O 引脚数量加倍、需集成更多功能等一系列因素，三大内存原厂均采用逻辑『半导体』代工制造逻辑『芯片』。
业内人士表示，运行时的发热是 HBM 内存的最大敌人，而在堆栈整体中逻辑『芯片』更是发热大户，采用先进制程制造逻辑『芯片』有助于改善 HBM4 的能效与性能表现。
『三星电子』试图在 HBM4 上采取相对激进的技术路线以挽回在 HBM3 (E) 世代因质量原因而丢失的 HBM 内存市场份额：除采用自家 4nm 工艺制造逻辑『芯片』外，『三星电子』还将在 HBM4 上导入 1c nm 制程 DRAM Die，并有望在 16Hi 堆栈中引入无凸块的混合键合技术。
