三星、联想完成业界首个 128GB CMM-D CXL 内存模块联合验证
4月前此次受测 CMM-D 模块搭载三星电子 12nm 级 32Gb DDR5 DRAM 颗粒与澜起新一代 CXL 控制器。
三星电子宣布全面退出 LED 业务，聚焦功率半导体和 Micro LED 领域
4月前据央视财经报道，由于集团整体业绩未达预期，韩国三星电子最近启动了业务架构的调整，其中半导体部门决定全面退出发光二极管（LED）业务。这一决定标志着继 2025 年 LG 电子退出后，韩国两大电子企业都退出 LED 业务。此前，三星电子主要生
消息称三星电子半导体业务危机蔓延至人才领域，大批员工考虑跳槽
4月前SK 海力士和韩国电子技术研究院放出的岗位吸引了三星大量资深工程师应聘，年轻员工也在另寻出路。
三星电子与 SK 海力士的市值份额差距缩至近 13 年最小
4月前两家企业的市值份额之差为 8.9 个百分点，系 2011 年 7 月 18 日（8.84 个百分点）以来近 13 年零 3 个月的最小水平。
消息称三星电子 2025 年初引进其首台 ASML High NA EUV 光刻机
4月前由于三星目前半导体先进制程路线图已规划至 SF1.4 节点,采用 High-NA 光刻的制程最早也需要等到 SF1。
三星电子今年 Q3 营收 79.1 万亿韩元，营业利润 9.18 万亿韩元
4月前三星电子今天公布了 2024 年第三季度财报，数据显示该季度合并营收达 79.1 万亿韩元（IT之家备注：当前约 4072.86 亿元人民币），较上季度增长 7%，这归功新款智能手机的推出效应及高端内存产品销售的提升。
消息称三星将关闭 50% 左右的晶圆生产线，以降低运营成本
4月前三星电子在其平泽二号（P2）和三号（P3）生产基地的 4nm、5nm 和 7nm 制程中，已有超过 30% 的代工生产线停产，并计划在年底前将停产比例扩大至约 50%。公司表示将逐步停产，并根据客户订单需求灵活调整。
经济学家：预计今年韩国经济将增长 2.2%，一半贡献来自三星
4月前韩国作为发达国家，其经济增长离不开众多知名企业的贡献。然而，与其他发达国家不同，韩国经济的增长高度依赖于单一企业 —— 三星电子。
消息称三星 1、2 代 3nm 工艺良率仅 60%、20%，年内恐大面积更换半导体高管
4月前三星 DS 部的三大业务部存储器、系统 LSI、Foundry 目前未能实现互相促进的良性循环，导致整体面临危机。
消息称三星平泽 P4 厂一期改为混合产线：每月可产 3~4 万片 DRAM 内存晶圆
4月前P4 工厂一期未来每月还可贡献约 1 万片 NAND 闪存晶圆。
三星电子计划于韩国天安市新建封装工厂，扩容 HBM 内存等后端产能
4月前三星电子将以租赁的形式获得三星显示一幢大楼的使用权，并在三年内为该建筑导入半导体后端加工设备。
三星电子：计划未来一年内分期回购约 10 万亿韩元股份
4月前三星电子表示，此次股份回购旨在提升股东价值。
消息称三星电子将扩大苏州先进封装工厂产能，强化半导体封装业务
4月前业内人士消息称三星电子今年第三季度签订了一笔价值约200 亿韩元（IT之家备注：当前约 1.04 亿元人民币）的合同，用于为其位于中国苏州的工厂购置和安装半导体设备，以扩充该基地的生产能力。
三星电子最大在韩工会成员投票否决加薪 5.1% 初步协议，谈判恐延至明年
4月前业内人士表示此次投票结果与公司、工会双方对初步协议得到通过的共同预期不符，可能出现明年需就连续三年薪资协议合并谈判的情况。
官宣重大结构调整后，知情人士称三星电子“很多员工已降薪”
4月前今天上午，据新浪科技援引知情人士消息称，在三星电子宣布将进行大规模人事调整之后，有“很多员工”已遭遇降薪，一些部门人员的绩效下降了20%。
边缘 AI 半导体企业安霸首款 2nm 芯片 2025Q4 流片，预计由三星电子代工
4月前安霸 Ambarella 的首款 2nm 芯片将面向物联网 IoT 领域，未来将推出系列 2nm 制程产品。
三星电子代工业务新任负责人韩真晚：先进、成熟制程两手抓
4月前韩真晚认为在先进制程领域三星需在良率、功率、性能和面积上积极改进，打破“机会窗口关闭所以在下一个节点再赌一把”的恶性循环。
三星电子获美国《CHIPS》法案补贴“缩水”背后：取消先进封装产能规划，重点关注 2nm
4月前三星在美先进制程产能将重点关注下代尖端节点，同时暂时搁置了在美国当地提供先进制程 + 先进封装“一站式”服务的计划。
因高层变动：英特尔、三星电子更换 IEEE ISSCC 2025 全体会议演讲人
4月前今年 ISSCC 的全体会议演讲人原定包含英特尔前任 CEO 帕特・基辛格和原三星电子 DS 部门存储器业务主管李祯培，但这两位高管均在 2024 年末离职。
三星电子 2025 年第四季度营业利润 6.5 万亿韩元同比增长 130.5% 仍不及市场预期
4月前2024 年第四季度，三星电子销售额 75 万亿韩元（当前约 3760.5 亿元人民币），预估 77.46 万亿韩元，均不达预期。
三星 SF4X 先进制程获 IP 生态支持：Blue Cheetah 流片 D2D 互联 PHY
4月前三星 SF4X 制程也称为 4HPC，是其 4nm 系列节点演进中的最新一步；其与此前的变体不同，主要面向 AIHPC 所需芯片。
面向未来数据中心场景，消息称三星、SK 海力士已启动芯片浸没式液冷兼容测试
4月前浸没式液冷可降低冷却能耗、减少机房噪声、避免外界振动与湿度对对服务器寿命的影响。
（更新：三星否认）消息称三星 HBM 内存芯片通过英伟达测试
4月前三星电子最近收到了来自英伟达的 HBM3e 质量测试 PRA（产品准备批准）通知。这是三星应英伟达要求，派遣负责 HBM 和内存开发的高管前往美国一个多月后取得的成果。
消息称三星电子以自家 4nm 先进工艺打造 HBM4 内存逻辑芯片
4月前此举可提高 HBM4 内存综合能效；为客户定制功能导入留足空间；还可为 LSI 部门提供先进制程订单。
三星电子最大工会 NSEU 呼吁成员复工、但表示罢工将长期持续
4月前NSEU 表示：“我们需要在继续向管理层施压的同时，转变斗争方式，以减轻工会成员的经济负担。”
消息称三星电子与 Naver 将在 Mach-1 后实质结束 AI 加速芯片开发合作
4月前原因之一是 Mach-1 芯片开发同 Naver 业务深度交织，非 Naver 客户难以充分发挥 Mach-1 的潜力。
双方 HBM 合作首度公开，三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存
4月前无缓冲 HBM4 据信属于 HBM4 内存特殊变体，取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器。
三星电子宣布其首款 1Tb QLC 第九代 V-NAND 正式开始量产
4月前三星还表示将扩大 QLC 第九代 V-NAND 的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器 SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
消息称三星电子开启海外裁员，部分部门裁员幅度高达 30%
4月前据路透社报道，全球最大的智能手机、电视和内存芯片制造商三星电子正在裁减其海外员工，部分部门裁员幅度高达 30%。
罢工事件升级，三星电子超百名印度工人被捕
4月前目前，100 多名被捕工人已于当晚获释，但组织罢工的工会领导人仍被拘押在别的地方。