近期，华润微、瞻芯电子、重庆青山公布SiC新动态。
01
华润微：
公司SiC产品可应用于AI服务器电源中
华润微披露投资者关系活动记录表显示，该公司MOSFET等功率器件、功率IC、MEMS、模块等产品预计受益于汽车智能化、电子化趋势及AI、超计算等新兴领域带来的变革，实现增长。
source：华润微电子官微
（图为华润微电子（重庆）功率半导体研发中心）
产能方面，华润微深圳12吋产线已于2024年底实现通线，处于新品验证和新工艺转移阶段；重庆12吋产线已达成规划产能3万片/月。
产品进展方面，华润微表示，目前中低压MOS、高压MOS、SiC产品可应用于AI服务器电源中，已处于上量阶段。
SiC JBS和SiC MOS已完成产品系列化并量产，覆盖650V/1200V/1700V系列，性能达到国际领先同等水平。碳化硅模块产品已在上量阶段。产品围绕新能源汽车、充电桩、光伏逆变、储能逆变、服务器电源等领域全面推广上量，预计今年将实现高增长。
业界指出，碳化硅在AI服务器中的应用围绕高效能电源设计与高可靠性散热管理展开，通过替代传统硅基器件，显著提升能效比并降低运营成本。随着AI热潮不断持续，碳化硅技术将成为AI数据中心实现低碳化与高性能化的重要推手。
02
瞻芯电子推出2000V SiC 4相升压模块
瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品，可应用于光伏等领域，已通过工业级可靠性测试，并在光伏客户导入验证。
source：瞻芯电子官网
（图为模块产品外观）
该款产品壳体高度仅12mm，能压缩应用系统的体积，金属底座让模块安装更牢固，并消除了塑料底座老化的隐患。产品内部集成了4相升压电路，共用电源接地，分为2组，集成热敏电阻以监测温度，可灵活适配2路或者4路直流输入（DC input），满足个性化设计需求。相对于分立器件方案，大幅提升功率密度，同时显著简化了电路的设计。
瞻芯电子介绍，2000V SiC MOFET和Diode特别适用于1500V 光伏升压电路。在升压变换电路中，2000V SiC分立器件能简化电路拓扑、减少元器件数量，降低总物料成本，同时让应用控制更简单。对比分立器件的方案，若采用2000V SiC功率模块产品，还进一步简化了电路设计，大幅提升了功率密度。
03
重庆青山与重庆大学联合研发SiC芯片流片成功下线
近日，重庆青山与重庆大学联合研发的SiC功率芯片首轮流片成功下线。
此次双方联合研发的SiC功率芯片，在耐压和阈值电压等关键参数上均表现出优秀的性能。
器件耐压性能突出，击穿电压最高可达1700V以上；阈值电压一致性表现优异，通过率达到98%，实测值分布集中，具有较强的抗干扰能力，在大批量使用时更易于配对，从而节约成本。
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