瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC)4相升压功率模块产品，可应用于光伏等领域，已通过工业级可靠性测试，并在光伏客户导入验证。对比分立器件的方案，若采用2000V SiC功率模块产品，还进…
描述： CS830F A9RD 是采用自对准平面工艺制造的硅N沟增强型VDMOSFET，该工艺降低了导通损耗、提高了开关性能并增强了雪崩能量。特征： 快速切换 ESD 改进能力 低栅极电荷（典型数据：14.…
