EKC溶液清洗工艺是半导体制造中用于去除晶圆表面残留物（如刻蚀后聚合物、光刻胶等）的关键步骤，其工艺参数和溶液配方需根据具体应用场景调整。以下是综合多篇文献和专利的详细说明：
一、EKC溶液成分与作用
EKC溶液的配方因应用场景不同而有所差异，主要分为以下两类：
传统配方（适用于聚合物去除）
核心成分：羟胺（HDA）、2-(2-氨基乙氧基)乙醇（DGA）、邻苯二酚（Catechol）、水2。
功能：
羟胺和DGA：分解聚合物（如光刻胶残留物），但对金属有腐蚀性。
邻苯二酚：与金属离子结合，保护铝/铜互连线免受腐蚀。
水：作为反应活化剂，需严格控制含量以避免原电池反应损害金属线2。
改进配方（适用于深孔清洗）
核心成分：N-甲基吡咯烷酮（NMP）、碱性胺（如乙二胺）、去离子水34。
功能：
NMP：高极性溶剂，有效溶解深孔中的聚合物残留。
碱性胺：调节pH值，增强清洗能力。
二、清洗工艺步骤
预处理
去除晶圆表面大颗粒污染物，必要时进行预清洗（如纯水冲洗或低温碱液浸泡）5。
EKC清洗
清洗时间：20-30分钟（根据残留物厚度调整）26。
温度控制：常温至65℃（高温可加速反应，但需避免干燥斑点）36。
操作要点：
溶液需持续循环或搅拌，确保均匀接触6。
严格控制水分含量（尤其传统配方），防止金属线腐蚀2。
EKC残留去除
jrhz.info清洗剂选择：
传统工艺：异丙醇（IPA）冲洗，但易因氧化反应生成水，导致金属缺陷2。
改进工艺：丙酮（CH₃)₂CO）或丁酮（MEK）替代IPA，避免羟基反应，减少水分引入26。
清洗时间：5-10分钟26。
去离子水冲洗
目的：去除清洗剂残留6。
操作：快排冲洗槽（QDR）中冲洗5-10分钟，水温室温26。
干燥处理
方式：离心干燥（2000-3000rpm）或氮气吹扫，避免水渍残留6。
三、关键工艺参数与注意事项
溶液配比与稳定性
传统EKC溶液需维持pH 9.5-10.5，碱性过强会加速金属腐蚀2。
NMP基配方需控制胺类浓度，避免过度腐蚀硅基底3。
水分控制
清洗后晶圆表面水含量需低于100ppm，否则可能引发铝铜合金的原电池反应，导致金属线空洞缺陷2。
设备要求
清洗槽需采用耐腐蚀材料（如PFA、PTFE），并配备在线监测系统（如电导率、pH传感器）5。
四、典型应用场景
刻蚀后清洗：去除干法刻蚀残留的聚合物（如氟碳聚合物）36。
光刻胶去除：替代硫酸-双氧水体系，避免高温损伤晶圆2。
深孔结构清洗：NMP基EKC溶液可深入孔洞，清除难以触及的残留物3。
五、技术优势与局限性
优势：
高效分解有机物和聚合物，适用于复杂图形晶圆。
改进配方（如丙酮替代IPA）可降低金属腐蚀风险2。
局限性：
传统EKC溶液对铜互连线仍有轻微腐蚀，需配合邻苯二酚保护。
NMP基溶液成本较高，需回收处理以降低能耗3。
EKC清洗工艺通过化学配方优化和工艺参数调控，实现了半导体晶圆高效、低损伤的清洗需求。未来趋势将聚焦于环保型溶剂开发（如水性EKC）和智能化工艺控制（如实时水分监测）。
