一台清洗机的操作，还是必须讲究流程与细节。为此，我们今天给大家带来的就是硅片清洗机操作说明，相信大家学会与明白这个流程后，可以更好的操控机器、提高效率。
以下是通用的硅片清洗机操作说明，适用于大多数自动化或半自动硅片清洗设备（如超声波清洗机、湿法清洗机等）。具体操作需结合设备型号和工艺要求调整，建议参考设备手册。
一、操作前准备
- 设备检查
- 确认清洗机各部件（水槽、超声波发生器、温控系统、喷淋臂、滚轮等）无损坏。
- 检查管路是否畅通，化学试剂供应是否正常（如DF、H₂O₂、NH₄OH等）。
- 确认干燥系统（热风、离心或真空干燥）功能正常。
- 硅片准备
- 佩戴无尘手套，避免手指接触硅片表面。
- 将硅片放入专用载体（如花篮、石英舟或TEBO船），确保排列均匀，避免碰撞。
- 清洗液配置
- 根据工艺要求配制清洗液（如RCA清洗液、DHF溶液等），严格控制浓度、温度和时间。
- 示例配方（RCA标准清洗）：
- SC-1（碱性清洗）：NH₄OH:H₂O₂:H₂O = 1:1:5，温度70-80℃。
- SC-2（酸性清洗）：H₂O₂:HCl:H₂O = 1:1:6，温度60-80℃。
二、操作步骤
1. 预处理（可选）
- 去除硅片表面大颗粒或有机物污染（如丙酮、乙醇超声预清洗）。
- 避免直接用手接触硅片背面或边缘。
2. 清洗流程
- 加载硅片：将装好硅片的载体放入清洗机进料口，启动自动传输（或手动放入槽体）。
- 槽式清洗（典型多槽设备）：
- 槽1：预清洗（纯水或低温碱液，去除表面尘埃）。
- 槽2：主清洗（化学试剂+超声波/喷淋，去除有机物、金属污染）。
- 槽3：漂洗（纯水冲洗，去除残留化学液）。
- 槽4：干燥前处理（稀酸或酒精浸泡，防止水渍）。
- 超声波辅助（如适用）：开启超声波功能，增强清洗效果（频率通常为40kHz）。
- 时间与温度控制：
- 单槽清洗时间：5-15分钟（根据污染程度调整）。
- 温度范围：20-80℃（碱性清洗需高温，酸性清洗常温）。
3. 干燥处理
- 热风干燥：温度80-120℃，时间5-10分钟，避免硅片过热变形。
- 离心干燥：高速旋转（2000-3000rpm）甩干水分，适用于小尺寸硅片。
- 真空干燥：充氮气或惰性气体，防止氧化，适用于高精度要求。
4. 下料与检测
- 干燥后取出硅片，检查表面是否无水渍、颗粒或污渍。
- 使用光学显微镜或AFM检测清洗效果，必要时重复清洗。
三、注意事项
- 安全规范
- 佩戴防护装备（手套、护目镜），避免化学液飞溅。
- 强酸/强碱操作需在通风柜内进行。
- 废液分类回收，严禁直接排放。
- 防止硅片损伤
- 避免硅片与容器硬接触（如跌落、碰撞）。
- 控制超声波功率，防止空化效应损伤薄片或图案化晶圆。
- 工艺参数记录
- 记录清洗液配比、温度、时间、硅片批次号，便于追溯。
四、维护与保养
- 日常维护
- 清洗槽体后用清水冲洗，清除沉淀物。
- 定期更换超声波换能器，检查喷淋臂是否堵塞。
- 干燥腔清理粉尘，检查加热元件。
- 长期停机处理
- 排空化学液，用清水循环冲洗系统。
- 设备表面涂防锈油，关闭电源并覆盖防尘罩。
