4月17日消息，随着高带内存（HBM）演进到第六代的HBM4，其底部的Base Die将首次采用逻辑制程制造，这也成为了同时拥有先进逻辑制程工艺的存储『芯片』厂商『三星电子』的一大优势。
据《朝鲜日报》报道，此前在HBM技术竞争中落后的『三星电子』，其在HBM4 12层 技术的开发和制造方面已经取得了巨大进展，其为HBM4开发的基于其4nm逻辑制程的Logic Base Die的测试良率已超过40%。
一位业内人士解释说：“40%的初始测试生产良率意味着，这是一个有利的数据，可以立即推进业务。”他补充道：“通常情况下，晶圆代工工艺的良率起始于10%左右，随着量产，良率会逐渐提高。”
报道称，『三星电子』的晶圆代工部门引入了多项新工艺，可在生产该逻辑『芯片』的同时提升性能。『三星电子』『半导体』部门负责人全永铉最近也对晶圆代工部门的工作表示了鼓励。
相比之下，三星的竞争对手——SK海力士正在生产HBM4 12层产品，并已向客户发送样品。目前在HBM市场，SK海力士占据了超过70%的市场份额，同时也借此优势，成功在今年一度超越三星，成为了全球最大的DRAM厂商。据市场调研公司Counterpoint Research的数据，今年第一季度，SK海力士在DRAM领域的市场份额为36%，『三星电子』紧随其后，为34%。
为了缩小与SK海力士的在HBM市场的差距，三星已经将HBM4视为其拓展市场份额的关键产品。三星内存部门正在开发的HBM4 12层产品将基于其10纳米级第六代（1c）DRAM『芯片』和4nm的逻辑『芯片』。而SK海力士正则选择的是将上一代DRAM（1b DRAM）用于HBM4，这意味着如果三星能够稳定量产1c DRAM和4nm Logic die，它将在HBM4性能方面占据优势。
此外， DRAM 和逻辑『芯片』封装在一起形成最终产品的封装技术也至关重要。三星采用的封装方法与 SK 海力士不同，三星采用的是“先进热压非导电粘合膜 (TC-NCF)”技术，该技术每次堆叠『芯片』时都会铺设一层薄膜材料。然而，这种封装方法被认为难以控制发热。
业内人士指出，“『三星电子』面临的任务是稳定HBM使用的DRAM及其封装技术。”
