描述:
AGM3N150F结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装,可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。
特征:
先进的高密度沟槽技术
低RDS(ON)以最小化导电损失
低栅极电荷以实现快速切换
低热阻
100% 进行过雪崩测试
100% 进行过DVDS测试.
应用:
电子镇流器
电子变压器
开关模式电源
详情请咨询我司业务15986786916
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