RY2334AT6，30V 高侧过压保护器『芯片』
RY2334是一种高电压30V过压保护器（OVP），具有低导通电阻，只需通过简单调整即可实现。 一个可配置的功率MOSFET， 一个电压参考，一个栅极驱动器以及一些逻辑和保护模块. RY2334RY233…
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矽源特ChipSourceTek-CSTS150P06G P沟道MOSFET采用Split Gate Trench技术，低导通电阻、高电流承载能力，具备散热与能效表现，适用于高功率同步整流应用。(矽源特音频『芯片』有哪些)
这款器件在-60V的BVDSS额定电压下，能够承载-150A的持续漏极电流，同时实现仅3.4mΩ的超低导通电阻，显著降低功率损耗。对于并联应用场景，需注意动态均流设计——在栅极串联0.5Ω电阻可改善电流分配不…
FAN3227TMX栅极驱动器原装正品现货PDF数据手册规格书参数引脚图电子文档中文资料(栅极驱动)
FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。在FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反…
PM8834TR栅极驱动器原装正品现货PDF数据手册规格书参数引脚图电子文档中文资料特性(栅极驱动 ic)
PM8834 是一款灵活的高频双通道低侧驱动器，专门设计用于高电容 MOSFET 和 IGBT。 两个 PM8834 输出都可以独立吸收和提供4 A 电流。 PM8834 提供两个使能引脚，可用于使能一个…
FL3100TMPX栅极驱动器原装正品现货PDF数据手册规格书参数引脚图中文资料PDF数据手册特性(栅极驱动是什么意思)
FL3100T 具有两个输入，对于 DIM 引脚可配置为以非反向模式 (IN) 运行，以实现 LED 驱动器的 PWM调光控制。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MO…
极端增强模式金刚石FET推动大功率电子产品向前发展
墨尔本皇家墨尔本理工大学和格拉斯哥大学研究人员的一项研究表明，一种极端增强模式氢端接金刚石FET，其阈值电压超过+8V，创下该器件类别的历史新高，并且能够在苛刻的电应力条件下实现高性能运行。 传统的氢端接金…
宇力代理商 U4316 高电流IO+- 0.250.4安 三相桥式驱动器(宇力管业有限公司)
U4316是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道，适用于三相应用。可以通过外部电流检测电阻获得一个电流跳闸功能，该功能可终止所有六个输出。过流故障条件在通过连接到RC…
n沟道增强型mos管(n沟道增强型mosfet)
源极和漏极：在衬底上利用扩散工艺制作两个高掺杂浓度的 N+区，分别作为源极（Source）和漏极（Drain）。电流控制：通过调节栅极电压的大小，可以控制导电通道的电导率，进而控制流过 MOS 管的电流大小…
宇力代理商 U4315 高电流IO+- 0.250.4安 三相桥式驱动器(宇力工具)
U4315是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道，适用于三相应用。可以通过外部电流检测电阻获得一个电流跳闸功能，该功能可终止所有六个输出。过流故障条件在通过连接到RC…
技术向 | 浅谈SiC MOSFET栅极串扰抑制(技术思考)
无论正向还是负向串扰，其物理本质都是开关管高速开关动作过程中的高dVdt通过米勒电容耦合产生的位移电流，流经栅极驱动回路阻抗，并在栅源电容上充放电，从而干扰了栅源控制电压的稳定性，如图1所示。 通过在栅源…
IO 控制与 NMOS 控制PMOS开关电路有什么区别？(io控制指令有哪些)
当控制端为低电平时，PMOS 导通，VCC_OUT 有电压输出，且VCC_IN ≈ VCC_OUT 反之，当 PWR_CON为低电平时，NMOS 关断，从而使 PMOS 也断开，这样就完成了 VCC_IN…
电机控制器mos管(电机控制器mos管怎么接)
电气特性：漏源电压（VDSS）：60V连续漏极电流（ID）：90A导通电阻（RDS(on)）：10mΩ（典型值，VGS=-10V）栅极耐压（VGS）：±20V耗散功率：96W封装形式：DFN5X6-8L应用…
芯控源 AGM25T15AT 适用于负载开关和电池保护应用(芯控源『半导体』)
描述； AGM25T15AT 结合了先进的超深沟槽 llMOSFET 技术和低电阻封装，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。 特征； 低栅极电荷以实现快速开关 低热阻 100%…
MG15P12E1 IGBT模块：高性能与广泛应用的完美结合(igbt模块内部图)
MG15P12E1作为一款1200V15A的IGBT模块，凭借其卓越的性能和广泛的应用场景，成为工业领域的理想选择。 MG15P12E1 IGBT模块通过高性能参数、鲁棒性设计和广泛的应用适配性，为现代电力…
MOS管工作原理及其在电子器件中的应用解析(mos管基本原理)
其核心工作原理是通过控制栅极电压来调节源极与漏极之间的电流，从而实现对电路的开关控制。在这个过程中，专业的招聘平台可以帮助求职者更高效地匹配到适合自己的工作。 综上所述，MOS管作为现代电子技术的基石，其工作…
郭明錤：特斯拉AI6『芯片』预计用三星2纳米工艺、SF2良率约50% 难预测能否如期量产(特斯拉郭嘉藏獒)
知名分析师郭明錤称，特斯拉预计将在2027年量产AI6『芯片』，采用三星的2纳米（SF2）先进制程。SF2目前的良率是40-50%，低于台积电N2工艺的70%以上和英特尔18A的50-55%。SF2采用与SF3的…
京东方Ａ获得发明专利授权：“显示面板和制备的方法、显示装置”(京东方a获得发明专利授权依木兰硫唑啉)
证券之星消息，根据『天眼查APP』数据显示京东方Ａ（000725）新获得一项发明专利授权，专利名为“显示面板和制备的方法、显示装置”，专利申请号为CN202180000579.X，授权日为2025年7月29日。该…
维信诺 国显光电申请移位寄存器、栅极驱动电路及显示面板专利，提高移位寄存器的驱动能力(维信诺国显光电有限公司(央企))
金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，合肥维信诺科技有限公司;昆山国显光电有限公司申请一项名为“移位寄存器、栅极驱动电路及显示面板”的专利，公开号CN120375742A，申请日期为2025…
ADUM5230ARWZ-RL电流隔离式栅极驱动器原装正品PDF数据和册规格书(d5fb20 电流)
这个高边 隔离电源不仅为ADuM5230高侧供电 输出，以及与 ADuM5230。 与采用高电压电平的栅极驱动器相比转换方法，ADuM5230提供了以下优势 输入和每个输出之间的电流隔离。 电源电压-最大:…
GaN HEMT 与 SiC MOSFET 生产设备核心差异分析
在硅衬底上生长 GaN 时，需通过 MOCVD 依次沉积 AlN 缓冲层、GaN 沟道层和 AlGaN 势垒层，以缓解晶格失配（Si 与 GaN晶格失配率约 17%）和热膨胀系数差异（Si 的 CTE 为 …
超低IQ理想二极管控制器替代LM74700-Q1具2.3A峰值栅极关断电流冗余电源ORing
该『芯片』可耐受低至-150V的负电源电压，并提供负载保护。该『芯片』通过控制MOSFET的栅极将正向压降调节至20mV。该电流调节方案可在反向电流事件中支持平稳关机，并确保零直流反向电流。当使能引脚处于低电平时，控…
EG1416 『芯片』数据手册 V1.0
输出电流能力 IO+- 2A2A EG1416 的电源电压范围宽 4V～20V，静态功耗小于 1uA。 = 12V 时，EG1416可提供峰值为 2A 的灌拉（对称驱动）电流驱动能力；采用 SO…
广立微申请栅氧化层电性厚度监测相关专利，计算得到精确的栅氧化层电性厚度
金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，广立微（上海）技术有限公司申请一项名为“栅氧化层电性厚度监测结构、方法、装置和计算机设备”的专利，公开号CN120237127A，申请日期为2025年06…
2nm版高通『骁龙』8 Elite 2首曝：三星代工
快科技7月2日消息，博主数码闲聊站爆料，三星代工生产了部分『骁龙』8 Elite2『芯片』，工艺升级为三星SF2（2nm制程），套片报价比台积电3nm版本更低，明年可能会上线。 他还爆料，目前没有厂商采购三星2nm…
诺芯盛@推挽电路驱动多个mos
门极电阻调节：如同给急速行驶的赛车装上可调阻尼器，通过优化阻值既保证开关速度，又抑制过冲；死区时间控制：在互补管切换间插入纳秒级间隔，避免"直通短路"这种电子领域的"交通事故&q
晶合集成获得发明专利授权：“在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及『半导体』器件”
证券之星消息，根据『天眼查APP』数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及『半导体』器件”，专利申请号为CN202510262515.7，授权日为20…
矽源特ChipSourceTek-PE2317是SOT23-3L封装。18V, 6A的-Mosfet
这款P沟道增强型电源MOSFET犹如电路中的精悍舵手，在-18V的漏源电压(VDS)和-6A的漏极电流(ID)的航道上稳健领航。 •强大的功率与电流承载能力，堪比电子领域的"大力士" （注：产品文档中提…
矽源特ChipSourceTek-PE2305T是SOT-23封装,16V, 6A,的P-Mosfet。提供SOT-23封装。
矽源特ChipSourceTek-PE2305T技术规格书其导通电阻(RDS(ON))表现卓越：当栅源电压(VGS)为-4.5V时低于34mΩ，-3V时低于42mΩ，-2.5V时仍能维持在50mΩ以下，展现出…
EG2132 MOS管栅极驱动『芯片』 屹晶微一级代理商
EG2132 是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用『芯片』，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于 无刷电机…
30V 150A！矽源特ChipSourceTek-PE83H5P MOS 新秀
先进沟槽技术：采用领先的沟槽工艺，矽源特ChipSourceTek-PE83H5P实现了更佳的电流分布和更低的导通阻抗，这是对传统技术的一次飞跃，也是对品质与创新的不懈追求。 矽源特深知用户体验的重要性，…
