诺芯盛@推挽电路驱动多个mos
8小时前门极电阻调节：如同给急速行驶的赛车装上可调阻尼器，通过优化阻值既保证开关速度，又抑制过冲；死区时间控制：在互补管切换间插入纳秒级间隔，避免"直通短路"这种电子领域的"交通事故&q
晶合集成获得发明专利授权：“在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件”
4天前证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件”，专利申请号为CN202510262515.7，授权日为20…
矽源特ChipSourceTek-PE2317是SOT23-3L封装。18V, 6A的-Mosfet
24天前这款P沟道增强型电源MOSFET犹如电路中的精悍舵手，在-18V的漏源电压(VDS)和-6A的漏极电流(ID)的航道上稳健领航。 •强大的功率与电流承载能力，堪比电子领域的"大力士" （注：产品文档中提…
矽源特ChipSourceTek-PE2305T是SOT-23封装,16V, 6A,的P-Mosfet。提供SOT-23封装。
24天前矽源特ChipSourceTek-PE2305T技术规格书其导通电阻(RDS(ON))表现卓越：当栅源电压(VGS)为-4.5V时低于34mΩ，-3V时低于42mΩ，-2.5V时仍能维持在50mΩ以下，展现出…
EG2132 MOS管栅极驱动芯片 屹晶微一级代理商
1月前EG2132 是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于 无刷电机…
30V 150A！矽源特ChipSourceTek-PE83H5P MOS 新秀
1月前先进沟槽技术：采用领先的沟槽工艺，矽源特ChipSourceTek-PE83H5P实现了更佳的电流分布和更低的导通阻抗，这是对传统技术的一次飞跃，也是对品质与创新的不懈追求。 矽源特深知用户体验的重要性，…
微源 LPM9031 双通道N沟道MOSFE
1月前描述: LPM9031 是一款双通道 MOSFET，结合了先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。此器件适用于负载开关或 PWM 应用。 特征： 100%EAS保证 绿色设备…
微源 LPM3400 N沟道增强型场效应晶体管
1月前LPM3400采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.1V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或在PWM应用中使用。 20V5A，RDS（ON）＜33mΩ（最大值）@VGS=4…
EG2113S芯片 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
1月前电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制 使上、下功率 MOS管处于关闭状态,输出电流能力 IO+- 2A2A，采用 SO16(宽体)封装。 1 …
微源 LPM9040 40V N沟道MOSFET
1月前描述： LPM9040 采用先进的沟槽技术，提供低栅极电荷的出色 RDS（ON）。这是一款多功能器件，适用于更广泛的电源转换应用。 特征：优秀的 CdVdt 效应下降 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动…
芯控源 AGM3N150F 绝对最大值额定值热特性电气特性
1月前描述： AGM3N150F结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。特征： 低热阻 100% 进行过雪崩测试 100% 进行过DVDS测…
芯控源 AGM4N65F 绝对最大值额定值热特性电气特性
1月前描述： AGM4N65F结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。 特征：低热阻 100% 进行过雪崩测试 100% 进行过 DVDS 测…
芯控源 AGM7N65D 绝对最大值额定值热特性电气特性
1月前描述： AGM7N65D结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，以提供极低的RDS（ON）。此器件非常适合负载开关和电池保护应用。 特征：低热阻 100% 进行过雪崩测试 100% 进行过DVDS测试…
芯控源 AGM7N65F 绝对最大值额定值 热特性 电特性
1月前描述： AGM7N65F结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。 特征：低热阻 100% 进行过雪崩测试 100% 进行过DVDS测试…
替代LT8306反激隔离开关控制器内置UVLO和短路保护
2月前PC4411是一个隔离的反激式控制器在宽输入电压下具有高效率范围为2.7V至100V。PC4411提供5V栅极驱动驱动外部N沟道MOSFET的电压GaN。保持高效率并使输出电压纹波最小化PC4411在轻载时…
新品上市，华普微推出600V半桥驱动器HPD2606X
2月前为提升工业电机能源转换效率，让电机能拥有更快的响应速度、更高的带宽、更高精度的位置和速度控制，华普微于近期重磅推出了一款自主研发的高压、高速的功率MOSFET和IGBT半桥驱动器——HPD2606X。HPD…
晶丰明源 BP6931 200V三相半桥驱动芯片
3月前BP6931 是一款三相高压半桥栅极驱动芯片，两路独立输入可以分别驱动高侧和低侧半桥 NMOS 或IGBT，可广泛应用于马达驱动。高侧驱动浮动电源设计，最高耐压+200V 三路独立半桥驱动，高低侧分别控制…
晶丰明源 BP6931 200V三相半桥驱动芯片
3月前BP6931 是一款三相高压半桥栅极驱动芯片，两路独立输入可以分别驱动高侧和低侧半桥 NMOS 或IGBT，可广泛应用于马达驱动。高侧驱动浮动电源设计，最高耐压+200V 三路独立半桥驱动，高低侧分别控制…
矽源特ChipSourceTek-PE40P08S是SOP8封装,40V, 8A的P-源Mosfet
3月前矽源特ChipSourceTek-PE40P08S作为一款高性能的P通道增强模式电源MOSFET，凭借其出色的电气性能、先进的封装技术和广泛的应用领域，成为了现代电子系统中不可或缺的关键元件。通过深入了解其…
福建省晋华集成电路取得半导体器件专利，提高操作表现
3月前金融界2025年2月28日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司取得一项名为“半导体器件”的专利，授权公告号CN222532097 U，申请日期为2024年6月。 专利摘要显示，本实用新型…
MOS管开关波形异常是怎么回事？
3月前波形显示Ud电压最小值还在5V左右就又开始上升，即MOS管的开关并未完全导通。 在上述基础上，我们再将栅极驱动信号的频率降低到100kHz，这时我们观察到Ud和Ugs基本都是一个比较标准的方波信号（通过Ugs…
矽源特ChipSourceTek-PE039N03K是TO-252-2L封装,30V,130AN-Mosfet
3月前这颗电子之心，采用了先进的沟槽技术，仿佛一位巧手的工匠，精心雕琢，赋予了它优异的RDS(ON)与低栅极电荷，使其在众多应用中如鱼得水，游刃有余。 谈及应用，矽源特ChipSourceTek-PE039N03…
宽禁带科技论|香港科技大学陈敬课题组：宽禁带半导体氮化镓、碳化硅的最新研究进展
4月前针对这一瓶颈，陈敬教授课题组提出采用N型掺杂的GaN帽层作为半导体栅极以取代传统的金属栅极，构建n-GaNp-GaNAlGaNGaN增强型HEMT，具体结构如图2-1所示，其中在有源区沟道上方的n-Ga…
新洁能授权代理 NCEP1505S N沟道超深槽功率MOSFET
4月前NCEP1505S采用Super Trench技术，该技术经过独特优化，以提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和…
新洁能授权代理 NCE0224AK N沟道增强型功率MOSFET
4月前描述： NCE0224AK采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 完全表征的雪崩电压和电流具有高电场开启特性的良好稳定性和均匀性 优秀的封装以实现良好的散热 电源切换应…
浮思特 | MOSFET和BJT在电源循环应用中的应用：驱动高侧开关
4月前图1显示了一个使用高侧输入开关的应用电路，以保护下游电子系统在电压不足条件下免受错误影响。 驱动P沟道高侧开关的一种方法是使用NPN双极结型晶体管(BJT)，如图4所示。使用N沟道MOSFET作为驱动电路时…
涉及碳化硅专利，格力电器、芯联集成新动态
4月前专利摘要显示，本发明涉及一种碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。 芯联集成专利摘要…
华润微授权代理商 CS830F A9RD N沟道功率MOSFET
4月前描述： CS830F A9RD 是采用自对准平面工艺制造的硅N沟增强型VDMOSFET，该工艺降低了导通损耗、提高了开关性能并增强了雪崩能量。特征： 快速切换 ESD 改进能力 低栅极电荷（典型数据：14.…
智芯微电子申请 MOS 管有效沟道长度测试专利，提高测试效率
5月前金融界 2025 年 1 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“MOS管有效沟道长度测试方法及装置”的专利，公开号 CN 119297099 A，申请日期为 20…