晶合集成：加快40nm、28nm等制程技术应用导入 #科技 #蔡国智 #产品 #技术 #公司 #平台

本文由『半导体』产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

晶合集成28nm OLED驱动『芯片』预计2025年可进入风险量产阶段。

5月14日，在2024年度暨2025年第一季度业绩说明会上，晶合集成董事长蔡国智及参会人员透露了多个关键信息。

28nm OLED驱动『芯片』预计2025年可进入风险量产阶段；
目前产能利用率仍处于高位水平；
加快40nm、28nm等制程技术应用导入和车用『芯片』的研发；
加快推进OLED、高阶CIS以及PMIC产品的研发、量产；

晶合集成28nm和40nm的相关进展

在被问及公司是否规划有更先进制程工艺的研发计划时，董事长蔡国智表示公司已实现150nm至40nm制程平台的量产，28nm产品研发正在稳定推进中，并透露28nm OLED驱动『芯片』预计2025年可进入风险量产阶段。

谈及2025年的机遇时，蔡国智认为目前行业处于复苏态势，根据『半导体』市场的细分，今年晶合集成将加快推进OLED、高阶CIS以及PMIC产品的研发、量产，提高OLED、高阶CIS及PMIC产品的营收占比，并同时加快40nm、28nm等制程技术应用导入和车用『芯片』的研发。

值得注意的是，2024年晶合集成28nm逻辑『芯片』通过功能性验证，成功点亮电视面板。在28nm逻辑『芯片』功能性验证中，其与客户合作将『芯片』中的数字模块和模拟模块进行同步功能验证以确保该工艺平台的性能和稳定性。

此外，晶合集成28nm制程平台的研发正在稳步推进中。其中，28nm精简型高效能工艺平台目前处于技术开发阶段，预计之后完成平台开发，包括全套低、中、高压器件，提供低功耗、高效能的元件方案供客户设计，并实现批量生产。而28nm逻辑及OLED『芯片』工艺平台目前处于工艺制程验证阶段，包括全套低、中、高压器件，提供高容量SRAM，降低功耗，适应各种高端显示技术需求。

在40nm方面，晶合集成自主研发的40nm高压工艺代工的OLED显示驱动『芯片』于去年首次成功点亮面板。该产品提供设计更小尺寸元件，可集成更多功能器件，实现更快响应速度和更低功耗，技术工艺已达国际主流水平。同时，晶合集成40纳米OLED在去年实现小批量量产，应用于手机终端设备OLED显示屏。

根据晶合集成2024年年报显示，除了28nm和40nm，其它制程也在2024年取得了进展：

新一代110nm加强型微控制器平台(110nm嵌入式flash)完成开发并同步导入产品量产；
55nm中高阶BSI及堆栈式CIS『芯片』工艺平台实现大批量生产；
110nm Micro OLED『芯片』已成功点亮面板；
55nm车载显示驱动『芯片』已量产。

晶合集成业绩飙升

2024年晶合集成实现营业收入92.49亿元，较上年同期增长27.69%；归属于母公司所有者的净利润5.33亿元，同比大幅增长151.78%；实现净利润4.82亿元，较上年同期增长304.65%。

其中，主营业务收入约为91.2亿元。从制程节点分类来看，55nm、90nm、110nm、150nm占主营业务收入的比例分别为9.85%、47.84%、26.84%、15.46%；从应用产品分类看，DDIC、CIS、PMIC、MCU、Logic占主营业务收入的比例分别为67.50%、17.26%、8.80%、2.47%、3.76%。

2025年第一季度，晶合集成发营业收入为25.68亿元，同比增长15.25%；归母净利润为1.35亿元，同比增长70.92%；扣非归母净利润为1.23亿元，同比增长113.92%。

值得一提的是，不久前市场调查机构TrendForce发布了最新全球晶圆代工厂的调查报告。在2024年第四季度，前十大晶圆代工厂季度营收合计增近10%，达384.8亿美元💵，其中晶合集成超越力积电，上升至第九名。

晶合集成聘任公司联席总经理

晶合集成发布公告称，公司董事会审议通过了《关于聘任公司联席总经理的议案》。为满足业务发展的需要，进一步提高运营管理效率，增强决策的科学性和全面性，以更好地应对日益复杂的市场竞争和业务挑战，公司拟新设“联席总经理” 两名，为公司高级管理人员。

经公司董事长提名、董事会提名委员会审查，综合考量专业能力、工作经验、职业素养以及公司人才需求，公司董事会同意聘任两位现任资深副总经理邱显寰先生和郑志成先生担任公司联席总经理，任期自《公司章程》修订联席总经理设置的相关条款等事宜经股东会审议通过之日起至公司第二届董事会任期届满之日止。

公告披露了两位联席总经理个人简历。

邱显寰先生，1969年出生，中国台湾，研究生学历。邱显寰先生1996年6 月至2007年6月，历任力晶科技股份有限公司『工程师』、黄光工程部副理、黄光工程部经理；2007年6月至2013年8月，历任瑞晶电子股份有限公司黄光工程部经理、制程模组工程一处处长；2013年8月至2015年9月，历任中国台湾美光记忆体股份有限公司制程模组工程处处长、新技术处处长；2015年9月至2016年6月，任力晶科技股份有限公司技术处长；2016年6月至2025年11月，历任合肥晶合集成电路有限公司N1厂厂长、协理、营运副总经理；2025年11月至今，历任晶合集成副总经理、营运资深副总经理。

郑志成先生，1968年出生，中国台湾，博士研究生学历。郑志成先生1998 年10月至2002年10月，任中国台湾工业技术研究院副理；2002年10月至2019 年4月，任中国台湾积体电路制造股份有限公司资深部经理；2025年7月至今，历任晶合集成前瞻技术发展中心资深处长、研发资深副总经理。

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