矽源特ChipSourceTek-PE83H3K是VDS=30V, ID=120A,RDS(ON)<2.8mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<4.6mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2L封

矽源特ChipSourceTek-PE83H3K是VDS=30V, ID=120A,RDS(ON)<2.8mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<4.6mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2L封

矽源特ChipSourceTek-PE83H3K Description:

矽源特ChipSourceTek-PE83H3K是VDS=30V, ID=120A,RDS(ON)<2.8mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<4.6mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2L封装。

The 矽源特ChipSourceTek-PE83H3K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

PE83H3K General Features:

VDS=30V, ID=120A

RDS(ON)<2.8mΩ@VGS=10V

RDS(ON)<4.6mΩ@VGS=4.5V

High Power and current handing capability

Lead free product is acquired

Surface Mount Package

矽源特ChipSourceTek-PE83H3K Application:

Battery management

Motor controller and driver

PWM applications

Load switch

矽源特ChipSourceTek-PE83H3K Switching Test Circuit:

矽源特ChipSourceTek-PE83H3K Switching Waveform:

特别声明:[矽源特ChipSourceTek-PE83H3K是VDS=30V, ID=120A,RDS(ON)&lt;2.8mΩ@VGS=10V,RDS(ON)&lt;4.6mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2L封] 该文观点仅代表作者本人,今日霍州系信息发布平台,霍州网仅提供信息存储空间服务。

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