标签:"增强型"相关文章

1月前

pom材料密度是多少

POM（聚甲醛，Polyoxymethylene）是一种常用的工程塑料，其密度会因具体型号、生产工艺以及是否添加填充剂（如玻纤、矿物等）而有所差异，主要可分为均聚甲醛和共聚甲醛两大类，具体密度范围如下： -…

1月前

英特尔携手合作伙伴打造高效智算底座，加速企业AI应用落地

在助力企业AI生产领域，英特尔至强处理器和AMX加速引擎、配合火山引擎的深度优化，让企业在大模型落地阶段可以实现全流程性能提升，降低AI应用的部署成本，保障在高并发场景下的系统稳定性的同时，提升产品的整体性能…

1月前

矽源特ChipSourceTek-PE3415C是20V, 7A,的P沟道增强型电源Mosfet。提供SOT-23-3L封装。

The 矽源特ChipSourceTek-PE3415C uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate …

1月前

矽源特ChipSourceTek-PE3415是VDS=-20V, ID=-5.5A,RDS(ON)<40mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)<45mΩ@VGS=-2.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供SOT-23-3

The 矽源特ChipSourceTek-PE3415 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate c…

2月前

矽源特ChipSourceTek-PE2302DF是DFN2x2-6L封装。20V, 5A的N-Mosfet。

The 矽源特ChipSourceTek-PE2302DF uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gat…

2月前

矽源特ChipSourceTek-PE83H3K是VDS=30V, ID=120A,RDS(ON)<2.8mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<4.6mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2L封

The 矽源特ChipSourceTek-PE83H3K uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate …

2月前

315mm孔网钢带管增强型孔网钢带复合管孔网钢带聚乙烯管承压

中低压燃气管道（如小区燃气入户管线）常用孔网钢带管，压力等级可达0.4~0.8MPa，兼具耐压和耐老化性能。可输送酸性或腐蚀性流体（如含Cu²⁺、H₂SO₄的溶液），承压能力与化学稳定性结合，适用于化工领…

2月前

矽源特ChipSourceTek-PE60P50K是VDS=-60V, ID=-50A,RDS(ON)<25mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<32mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2

The 矽源特ChipSourceTek-PE60P50K uses deep trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate ch…

2月前

矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=20A,RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2

The 矽源特ChipSourceTek-PE60P20K uses deep trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate cha…

2月前

微源 LPM3400 N沟道增强型场效应晶体管

LPM3400采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.1V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或在PWM应用中使用。 20V5A，RDS（ON）＜33mΩ（最大值）@VGS=4…

2月前

微源 LPM9007 30V4A P沟道增强型场效应晶体管

LPM9007是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，在这些电路中需要高侧开关。超高密度电池设计，实现…

3月前

微源 LPM2302 20V3.5A N沟道增强型场效应晶体管

LPM2302是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和需要高侧开关的其他电池供电电路。超高密度电池设计，超低RDS（ON…

3月前

矽源特ChipSourceTek-PE40P95G是VDS=-40V, ID=-95A,RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供PDFN5x6-

矽源特ChipSourceTek-PE40P95G是VDS=-40V, ID=-95A,RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet…

4月前

湖北豪威泵业取得一种动力增强型多层夹芯传动装置专利，实现对设备进行缓冲减震和降噪的效果

金融界2025年4月5日消息，国家知识产权局信息显示，湖北豪威泵业科技有限公司取得一项名为“一种动力增强型多层夹芯传动装置”的专利，授权公告号CN 222717373 U，申请日期为 2024年7月。该动力…

4月前

矽源特ChipSourceTek-PE40P50G是VDS=-40V, ID=-50A,RDS(ON)<13mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<18mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型Mosfets。提供DFN5x6-8L

矽源特ChipSourceTek-PE40P50G是VDS=-40V, ID=-50A,RDS(ON)<13mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<18mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型Mosfets…

4月前

矽源特ChipSourceTek-MX2301B是VDS=20V, ID=2.3A,RDS(ON)(Typ.)=89mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)(Typ.)=110mΩ@VGS=-2.5V的P沟道增强型Mosfet。提供SOT-23封装。

The 矽源特ChipSourceTek-MX2301B uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate ch…

5月前