英特尔携手合作伙伴打造高效智算底座，加速企业AI应用落地
6天前在助力企业AI生产领域，英特尔至强处理器和AMX加速引擎、配合火山引擎的深度优化，让企业在大模型落地阶段可以实现全流程性能提升，降低AI应用的部署成本，保障在高并发场景下的系统稳定性的同时，提升产品的整体性能…
矽源特ChipSourceTek-PE3415C是20V, 7A,的P沟道增强型电源Mosfet。提供SOT-23-3L封装。
8天前The 矽源特ChipSourceTek-PE3415C uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate …
矽源特ChipSourceTek-PE3415是VDS=-20V, ID=-5.5A,RDS(ON)<40mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)<45mΩ@VGS=-2.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供SOT-23-3
9天前The 矽源特ChipSourceTek-PE3415 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate c…
矽源特ChipSourceTek-PE2302DF是DFN2x2-6L封装。20V, 5A的N-Mosfet。
26天前The 矽源特ChipSourceTek-PE2302DF uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gat…
矽源特ChipSourceTek-PE83H3K是VDS=30V, ID=120A,RDS(ON)<2.8mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<4.6mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2L封
1月前The 矽源特ChipSourceTek-PE83H3K uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate …
315mm孔网钢带管 增强型孔网钢带复合管 孔网钢带聚乙烯管承压
1月前中低压燃气管道（如小区燃气入户管线）常用孔网钢带管，压力等级可达0.4~0.8MPa，兼具耐压和耐老化性能。 可输送酸性或腐蚀性流体（如含Cu²⁺、H₂SO₄的溶液），承压能力与化学稳定性结合，适用于化工领…
矽源特ChipSourceTek-PE60P50K是VDS=-60V, ID=-50A,RDS(ON)<25mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<32mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2
1月前The 矽源特ChipSourceTek-PE60P50K uses deep trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate ch…
矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=20A,RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2
1月前The 矽源特ChipSourceTek-PE60P20K uses deep trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate cha…
微源 LPM3400 N沟道增强型场效应晶体管
1月前LPM3400采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.1V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或在PWM应用中使用。 20V5A，RDS（ON）＜33mΩ（最大值）@VGS=4…
微源 LPM9007 30V4A P沟道增强型场效应晶体管
1月前LPM9007是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，在这些电路中需要高侧开关。 超高密度电池设计，实现…
微源 LPM2302 20V3.5A N沟道增强型场效应晶体管
1月前LPM2302是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和需要高侧开关的其他电池供电电路。 超高密度电池设计，超低RDS（ON…
矽源特ChipSourceTek-PE40P95G是VDS=-40V, ID=-95A,RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供PDFN5x6-
1月前矽源特ChipSourceTek-PE40P95G是VDS=-40V, ID=-95A,RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet…
湖北豪威泵业取得一种动力增强型多层夹芯传动装置专利，实现对设备进行缓冲减震和降噪的效果
2月前金融界2025年4月5日消息，国家知识产权局信息显示，湖北豪威泵业科技有限公司取得一项名为“一种动力增强型多层夹芯传动装置”的专利，授权公告号CN 222717373 U，申请日期为 2024年7月。该动力…
矽源特ChipSourceTek-PE40P50G是VDS=-40V, ID=-50A,RDS(ON)<13mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<18mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型Mosfets。提供DFN5x6-8L
2月前矽源特ChipSourceTek-PE40P50G是VDS=-40V, ID=-50A,RDS(ON)<13mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<18mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型Mosfets…
矽源特ChipSourceTek-MX2301B是VDS=20V, ID=2.3A,RDS(ON)(Typ.)=89mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)(Typ.)=110mΩ@VGS=-2.5V的P沟道增强型Mosfet。提供SOT-23封装。
3月前The 矽源特ChipSourceTek-MX2301B uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate ch…
芝奇发布16层PCB DDR5 R-DIMM内存：支持电压保护
3月前快科技2月23日消息，芝奇近日宣布推出基于JEDEC最新DDR5 R-DIMM修订标准的增强型DDR5 R-DIMM内存。 该产品采用16层PCB设计，并新增瞬态电压抑制（TVS）二极管及保险丝，在信号完整性…
新洁能授权代理 NCE0224AK N沟道增强型功率MOSFET
4月前描述： NCE0224AK采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 完全表征的雪崩电压和电流具有高电场开启特性的良好稳定性和均匀性 优秀的封装以实现良好的散热 电源切换应…
中微CMS8S7885：高效能8位8051系列MCU的杰出代表
4月前汽车电子：如车载音响、车载导航系统等，利用CMS8S7885的低功耗和宽温度范围特性，适应汽车内部的复杂环境。 中微CMS8S7885作为一款增强型8位8051系列MCU，凭借其高性能、低功耗、丰富外设和易于…
V0级阻燃PP树脂，A级阻燃汽车内饰改性聚丙烯塑料粒子，防火、增强型、增韧、抗静电，用于家用电器外壳、电子电脑配件等
4月前改性PP材料，也称为聚丙烯改性材料，是通过在纯聚丙烯（PP）树脂中添加不同的填料、增强剂、颜料等添加剂，来改善其性能、增加功能或降低成本的一类高分子材料。共混改性则是将PP树脂与其他聚合物进行共混，以改善其性…