江苏芯港半导体申请蓝宝石GaN HEMT功率芯片的制作方法专利，提高芯片的导热性和机械强度

金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，江苏芯港半导体有限公司申请一项名为“蓝宝石GaN HEMT功率芯片的制作方法”的专利，公开号CN120166734A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明涉及蓝宝石GaN HEMT功率芯片的制作方法，包括蓝宝石基GaN外延，所述蓝宝石基GaN外延的上方制作HEMT器件结构，刻蚀掉对应所述HEMT器件结构的源极和漏极的硅衬底部分阻断通过硅衬底的导电通道，并采用沉积导热性良好的绝缘材料AlN，并继续沉积高导热材料，提高芯片的导热性和机械强度；本发明优点在于：避免传统的GaN HEMT功率器件与驱动模块的互连方式带来的寄生电容电感的问题，并且寄生带来的尖峰电压/LC振荡等问题将会降低氮化镓器件的高频性能以及带来各种可靠性问题。同时避免了传统的基于分立的GaN HEMT功率器件与驱动模块的互连，占用大量的面积，增加了封装成本的问题。

天眼查资料显示，江苏芯港半导体有限公司，成立于2025年，位于徐州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本8000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏芯港半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可18个。