密集布局,长电、颀中、台积电、日月光点燃先进封装热潮

密集布局,长电、颀中、台积电、日月光点燃先进封装热潮

在AI算力需求爆炸式增长的推动下,全球半导体先进封装领域正迎来史无前例的投资与技术革新浪潮。近期,从晶圆代工巨头台积电,到封测领军企业日月光投控、长电科技以及颀中科技,各方均密集公布了在先进封装技术研发、产能扩张和战略布局上的最新进展。

颀中科技:FC封测制程将于7月正式量产,并拓展第二增长曲线

6月25日,颀中科技宣布,公司自主建设的FC(倒装芯片)封测制程项目将于今年7月份正式进入量产阶段,标志着公司在先进封测领域的技术实力跃升至新的高度。

FC封测技术,即倒装芯片封测技术。该技术通过凸块将芯片直接焊接到基板上,有效缩短了信号传输路径,降低了信号延迟和功耗,大大提高了封装密度和散热性能。

颀中科技自2015年开始布局铜镍金凸块、铜柱凸块、锡凸块等非显示先进封装技术的研发。2019年,公司完成了后段DPS封装的建置。在此基础上,公司积极推进FC封测制程项目的建设。

该项目的建设始于2023年8月,总投资额约为4.19亿元人民币。项目旨在大幅提升公司在12英寸晶圆凸块制造、测试以及薄膜覆晶封装(COF)的全制程生产能力。项目完成后,颀中科技的12英寸晶圆凸块制造产能将从现有水平显著提升,薄膜覆晶封装(COF)产能也将从现有的3千万EA/月大幅增加。这些产能的提升将使公司能够更好地满足市场对高性能芯片封装的快速增长需求。

颀中科技将持续加大研发投入,积极推进先进功率及倒装芯片封测技术改造项目。该项目将巩固并扩充公司在非显示芯片凸块制造(Bump)、CP测试、DPS封装的市场领导力。

该公司下一阶段将持续导入FSM/BGBM(正面金属化/晶圆减薄背面金属化)、Cu Clip和Hybrid封测工艺,加快构建起完善的全制程封测技术体系(Turnkey),提升一站式服务客户的能力,为后续的业务拓展与市占率提升奠定坚实基础。其中,正在建制中的FSM/BGBM工艺,将进一步为公司开辟新的业务增长空间。

据悉,非显示芯片封测业务正逐步成长为颀中科技的“第二增长曲线”。根据公司2024年年度报告,2024年公司非显示芯片封测营业收入达到1.52亿元,同比增长16.98%。这表明公司在多元化业务布局上取得了积极进展,减少了对单一显示驱动芯片业务的依赖。

长电科技:加速布局,新公司深化先进封装

作为中国大陆领先的封测企业,长电科技也在持续发力先进封装。

近日,长电科技宣布正式启动“启新计划”,并在江苏江阴市高新区设立全资子公司长电科技(江阴)有限公司,注册资本未公开。此举是长电科技优化资源配置、重点发展先进封装核心业务的重要战略举措。新公司将专注于高端封装技术的研发和生产,全面提升公司在先进封装领域的市场竞争力。

长电科技在先进封装技术方面持续投入,其核心技术包括FO ECP(Fan-Out Embedded Chip Packaging)、XDFOI™(eXtended Density Fan-Out Interconnect)等。通过“启新计划”和新子公司的设立,公司旨在进一步巩固其在先进封装市场的领导地位,抓住AI、5G、HPC等新兴应用带来的巨大增长机遇,推动公司高质量发展。

日月光加码投资先进封装,CEO吴田玉表示需求才刚开始

全球封测龙头日月光投控近期频频释放出对先进封装市场的乐观预期和大手笔投资计划。

在6月25日举行的股东会上,日月光投控CEO吴田玉明确表示,先进封装的需求才刚刚开始,未来市场前景广阔。他强调,公司将继续加大在先进封装领域的投资力度,“不会手软”,预计2025年先进封测营收将实现10%的年增长率。吴田玉指出,AI技术是未来十年半导体市场(有望达1万亿美元)的核心推动力,尤其台积电在AI芯片制造领域的领先地位,正持续推高对2.5D和3D IC等高端封装技术的测试需求。

在技术层面,日月光投控于2025年5月29日宣布推出具备硅通孔(TSV)的扇出型基板上晶片桥接技术(FOCoS-Bridge TSV),以加速AI技术发展。这项技术利用TSV提供更短的传输路径,实现更高的I/O密度和更好的散热效能,旨在满足日益增长的带宽需求。与原版FOCoS-Bridge相比,FOCoS-Bridge TSV的电阻和电感分别大幅降低72%和50%,显著提升了能源效率。

日月光投控正积极强化先进封装与先进测试能力,其中面板级封装的投资进度保持不变,预计本季度(Q2 2025)开始设备进驻,年底进入小量试产阶段,并将尺寸调整为310×310毫米。

在市场布局方面,公司持续投资东南亚市场,并深耕车用和机器人应用芯片封测领域。2025年2月18日,日月光位于马来西亚槟城的第五工厂正式启用,这将大幅提升公司在当地的先进封装制造能力,以满足生成式人工智能等下一代应用需求。此外,日月光投控还计划在美国设立测试厂,以应对如英伟达(Nvidia)等客户对AI芯片的强劲需求。

台积电:CoWoS产能紧俏,3D Fabric技术持续升级

作为先进封装领域的领军者,台积电的CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)封装产能持续供不应求,尤其是在AI芯片需求激增的背景下。

据TrendForce集邦咨询此前披露数据,台积电的CoWoS产能已从2023年的每月1.2万片提升至2024年底的每月3.5万至4万片,并计划在2025年进一步翻倍。即便如此,面对NVIDIA H200/B100、AMD MI300等高端AI加速器的巨大需求,CoWoS产能依然吃紧,成为AI芯片出货的关键瓶颈之一。台积电正积极扩展CoWoS产能,包括在嘉义、铜锣等地新建先进封装厂,以满足客户的迫切需求。

6月25日,台积电在上海举行技术研讨会,重点介绍了其3DFabric®先进封装平台,包括SoIC(系统整合芯片)等相关堆叠方案,展示了其在2.5D/3D封装领域的持续创新和产能扩张计划。

此前,台积电披露,计划在美国亚利桑那州同步配套建设两座先进封装设施,以及一个主要研发团队中心,以完善AI供应链。此举旨在将最关键、最具创新性的制造流程(包括前端晶圆制造和后端先进封装)都在美国进行,以满足高端芯片的2.5D/3D封装需求,特别是其3DFabric®平台(如CoWoS、SoIC)的产能延伸,为AI和HPC应用提供一站式解决方案。

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