金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，广立微（上海）技术有限公司申请一项名为“栅氧化层电性厚度监测结构、方法、装置和计算机设备”的专利，公开号CN120237127A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本申请提供一种栅氧化层电性厚度监测结构、方法、装置和计算机设备，结构包括：间隔布置的第一MOS结构和第二MOS结构，其中，第一MOS结构中，源漏区域上方形成第一极板，沟道区域上方形成第二极板，第二极板上的栅极与源漏区域具有第一重叠区域；第二MOS结构中，源漏区域上方形成第三极板，沟道区域上方形成第四极板，第四极板上的栅极与源漏区域具有第二重叠区域；沿沟道方向上，第一极板上任一点与第二极板之间的距离，与第三极板上对应点与第四极板之间的距离相同，第一重叠区域与第二重叠区域的面积相同，第二极板上的栅极区域与第四极板上的栅极区域相比，栅极宽度相同且栅极长度不同。通过本申请，可以计算得到精确的栅氧化层电性厚度。
天眼查资料显示，广立微（上海）技术有限公司，成立于2022年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，广立微（上海）技术有限公司共对外投资了1家企业，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可4个。
