韩美『半导体』董事长郭东信：HBM 45 内存导入混合键合犹杀鸡用牛刀

7 月 16 日消息，韩国『半导体』设备企业韩美『半导体』 (HANMI Semiconductor) 董事长郭东信当地时间昨日表示，在 HBM 4/5 世代就为 HBM 内存导入混合键合工艺犹如杀鸡用牛刀，并无必要。

韩美『半导体』是全球第一大 HBM 内存 TC（热压缩）键合机台供应商。根据郭东信的说法，最近两年由该企业设备实施键合步骤的 HBM 堆栈占到『英伟达』 HBM3E 内存整体供应量的九成。

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▲ 韩美『半导体』的 HBM 内存 TC 键合设备

郭东信表示，一台混合键合设备的价格就要超过 100 亿韩元（ 注：现汇率约合 5190 万元人民币），是传统 TC 键合机的两倍以上；此外 JEDEC 制定的 HBM4 规范将堆栈高度要求放宽到了 775μm，没有必要通过无凸块的混合键合进一步降低 DRAM Die 间距，TC 键合机足以满足 HBM4 乃至 HBM5 的工艺需求。

韩美『半导体』计划今年推出无助焊剂 (Fluxless) 类型的 HBM 键合设备，瞄准 HBM6 内存需求的混合键合机则目标在 2027 年推出。