目标良率 70%：三星挑战台积电霸主地位，全力备战 2nm GAA 工艺(目标良率99%再提升50%怎么算)

7 月 22 日消息，韩媒 chosu 今天（7 月 22 日）发布博文，援引供应链消息，报道称三星已启动“精选和聚焦”战略，集中资源提升 2nm 工艺良率，希望通过产量和成本优势来挑战台积电。

消息源表示『三星电子』预估，2nm 『芯片』需求至少会持续 3 年以上，为了避免重复 3nm 工艺的失败，公司正致力于加强『芯片』散热和稳定性，并进一步提高『芯片』性能。

『三星电子』目前正在平泽等园区建设 2nm 工艺生产线，并推迟 1.4nm 工艺量产计划至 2029 年（原计划 2027 年量产），以便集中精力提高 2nm 工艺的良率。

将原计划在 2027 年量产的 1.4 纳米工艺推迟到 2029 年，以便集中精力提高 2 纳米工艺的收益率。『三星电子』的 GAA 晶体管技术，在 2 纳米工艺中也可应用，这有助于技术稳定。

本月曾报道，台积电、英特尔、『三星电子』的 2nm 代工节点（N2、Intel 18A、SF2）良率分别约为 65%、55%、40%，而三星的目标是将良率提升到 70%。

三星在提升良率同时，将进一步扩展部署全环绕栅极（GAA）晶体管方案，第二代工艺已基本完成设计，目前正研究名为“SF2P+”第三代工艺，并计划在未来 2 年内实施。

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图源：WccFtech

尽管道路艰难，但最新报告显示，三星正在逐步改进其下一代光刻技术，预计该节点制造的『芯片』在未来四年内将会有巨大需求。