（全球TMT2025年7月28日讯）市场机构Digitimes Asia报道，英伟达正准备进入内存市场的新阶段，计划在2025年部署600,000至800,000个SOCAMM模块。这一举措将SOCAMM定位为高带宽内存（HBM）的潜在继任者。尽管与HBM相比，初始部署量相对适中，但行业分析师表示，此举可能会引发内存和基板领域更广泛的转型。
据ET News和Wccftech报道，英伟达已确认将SOCAMM技术整合至其下一代人工智能产品中，并已向关键内存和基板供应商透露了预计的订单数量。该公司即将推出的GB300“Blackwell”平台将成为首批采用SOCAMM技术的平台之一。但英伟达向DIGITIMES Asia表示，尚未确认这一信息。
英伟达最初与三星电子、SK海力士和美光合作开发SOCAMM。然而，美光已成为首家获得批量生产批准的内存制造商。SOCAMM专为低功耗、高带宽的人工智能计算设计，采用LPDDR DRAM技术，相较于传统笔记本电脑DRAM模块（如LPCAMM）实现了显著升级。该新模块在提升输入/输出速度和数据传输率的同时，保持了紧凑且易于升级的模块化设计。美光声称，其SOCAMM与服务器中使用的传统RDIMM模块相比，带宽提升了2.5倍，体积和功耗均减少了三分之一。
尽管预计的600,000-800,000台与英伟达计划在2025年采购900万HBM相比相形见绌，但分析师表示，SOCAMM的推出标志着一个关键的转折点。该模块的吸引力在于弥合了经济高效、可扩展的内存与人工智能工作负载的性能需求之间的差距。
