金融界2025年8月7日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司取得一项名为“静电吸附基座的微粒去除系统”的专利，授权公告号CN223193796U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种静电吸附基座的微粒去除系统，包括：静电吸附基座，其设置于等离子体设备的工作腔室内，其用于当等离子体设备工作时通过其固定晶圆，等离子体设备为刻蚀设备、CVD设备或PVD设备，等离子体设备包括所述工作腔室和晶圆存储腔室，工作腔室用于当等离子体设备工作时对晶圆进行刻蚀或沉积薄膜，晶圆存储腔室用于存储待刻蚀或沉积薄膜的晶圆；机械臂，其设置于工作腔室内，其用于当等离子体设备工作时通过其将存储腔室中的晶圆运送至静电吸附底座，机械臂包括驱动杆和载片平台，驱动杆用于通过其驱动载片平台运动，载片平台用于在运送晶圆时承载晶圆，载片平台下方具有出气孔，其用于通过其流出气体以吹扫静电吸附基座上的微粒。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2937次，专利信息1727条，此外企业还拥有行政许可117个。
