随着5G/6G通信、雷达系统、卫星互连等高频高功率应用场景的快速发展，碳化硅衬底氮化镓（GaN on SiC）技术已成为全球半导体产业的竞争焦点。在国际厂商主导的市场格局下，国内产业链的自主化进程对高可靠性、高性能、低成本的本土工艺平台需求日益迫切。
近日，合肥欧益睿芯科技有限公司（简称“欧益睿芯”）宣布，其自主研发的6英寸0.45μm GaN on SiC工艺平台正式对外开放。作为拥有国内稀有的6英寸GaN射频及毫米波量产线的企业，此举不仅标志着其发展的阶段性里程碑，更为国内半导体射频产业链注入了新的活力。
图片来源：欧益睿芯
1、技术核心：6英寸0.45μm GaN on SiC工艺平台的价值突破官方资料显示，欧益睿芯的该工艺平台已通过独立第三方及首批合作客户的严格验证，其综合性能指标表现被业内专家评价为“达到国内领先水平”。这一技术突破的价值，深刻体现在对“6英寸GaN on SiC规模化量产”和“微米级栅极工艺”兼顾的成功跨越。
GaN on SiC技术凭借GaN的高频、高功率特性与SiC衬底出色的热导率，已成为射频器件领域的主流方向。然而，在实际制造中，6英寸GaN on SiC工艺存在巨大的技术挑战。
从市场情况看，虽然6英寸SiC衬底已趋于成熟，但在其上实现高均匀性、低缺陷密度的GaN外延生长，并确保后续大规模生产中的工艺稳定性和重复性，仍是国内产业化的关键瓶颈。
与此同时，微米级栅极工艺构成了GaN技术的另一道核心壁垒。栅极尺寸直接决定了射频器件的频率特性和功率密度，是实现高频、高功率性能的关键。
在国内射频GaN领域，能够成熟掌握6英寸GaN on SiC技术的平台屈指可数，这凸显了欧益睿芯在产业链中的稀缺地位与技术领先优势。
欧益睿芯技术团队介绍，该平台经过多轮工艺验证，展现出良好的参数稳定性与一致性。依托其全流程自主可控的IDM模式，确保了从设计、流片到测试各环节的高效协同，目前已具备为客户提供定制化芯片开发服务的成熟能力。
2、欧益速度：IDM模式驱动的高效研发与制造欧益睿芯的建设与研发速度在业内引人瞩目，被冠以“欧益速度”。从2023年3月产线动工到2024年初产线调试通线，仅用时约9个月。在此之后一年多的时间内，公司就完成了包括此次开放的0.45μm GaN on SiC工艺在内的多项GaN、GaAs射频及毫米波工艺开发。
2023年3月：合肥产线正式动工2023年7月：主体厂房封顶2023年9月：首台设备移机2023年12月：设备安装就绪2024年初：产线调试通线公司CEO张若丹博士将此归因于IDM模式下设计、制造、测试环节的高效协同，这显著减少了技术迭代过程中的“体外循环”损耗，将传统上需要约3年的研发周期大幅压缩。
图片来源：欧益睿芯
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3、开放平台：拓展国产GaN应用的广阔边界此次开放的6英寸0.45μm GaN on SiC工艺平台，是欧益睿芯推动国产GaN技术迈向广阔市场应用的第一步。公司强调，第三代半导体的突破需要产业链的协同发力。欧益睿芯期望以自身的技术为支点，联合上下游合作伙伴，共同推动宽禁带半导体在5G/6G通信、雷达系统、电子对抗、低空经济、卫星互连等关键应用场景的落地。
欧益睿芯的这一举措，为国内通信、国防等领域的高性能射频芯片需求提供了本土化规模化的选择，有望加速国产GaN技术从“跟跑”向“并跑”迈进。其后续的工艺平台持续开发进度、产品市场接受度、量产良率与长期可靠性表现，将成为产业界持续关注的焦点。
（文/集邦化合物半导体整理）
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