英飞凌申请半导体衬底上的可烧结电接触专利，公开半导体衬底上的可烧结电接触(英飞凌申请半导体器件专利)

金融界2025年8月13日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“半导体衬底上的可烧结电接触”的专利，公开号CN120475758A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，公开了半导体衬底上的可烧结电接触。一种半导体器件，包括半导体衬底和被部署在半导体衬底上的可烧结电接触。可烧结电接触包括被部署在半导体衬底上的基于铜的层。基于铜的层具有在50nm和1000nm之间的厚度。可烧结电接触还包括被部署在基于铜的层和半导体衬底之间的基于钛的层。用于通过烧结来接合可烧结电接触的最终功能层是基于铜的层或者被部署在基于铜的层上的基于银的层。