2英寸二硒化钨, 2inch WSe2
二硒化钨（WSe2）是过渡金属硫族化合物（TMDs）家族的重要成员，单层时为直接带隙半导体（带隙约1.6 eV），多层时为间接带隙半导体，具有优良的光电与电子性能。通过化学气相沉积（CVD）方法在2英寸衬底上制备WSe2薄膜，能够实现高均匀性和大面积覆盖，为科研与器件开发提供稳定材料基础。
在CVD工艺中，常以WO3或WCl6为钨源，Se粉或H2Se气体为硒源，在惰性气体保护下于高温反应区完成沉积。调节升温速率、气氛比例与反应时间，可以获得单层、双层或多层WSe2薄膜。相比小片样品，2英寸薄膜具备更高的制备可重复性，便于大面积场效应晶体管阵列、光电探测器以及柔性电子的加工与性能测试。
2英寸WSe2薄膜的应用包括光探测、发光器件、隧穿器件以及柔性电子设备。尤其在可见光到近红外范围内，WSe2薄膜展现出优良的光致发光和光电响应。随着CVD工艺优化，2英寸WSe2有望成为新一代低功耗电子与光电子材料的代表。
用途：科研
尺寸：可定制
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