石墨烯FET（机械剥离）
基于石墨烯的场效应晶体管（Graphene FET）是二维电子器件研究中的经典体系。石墨烯因其高的电子迁移率和双极性输运特性，被认为是实现高速晶体管的理想材料。机械剥离法获得的石墨烯具有缺陷少、质量高的优点，因此是制备高性能石墨烯 FET 的优先选择。典型的器件结构包括：石墨烯沟道层、SiO₂/Si 作为背栅介质、源极和漏极金属电极。通过外加栅压，可以调控石墨烯的载流子浓度，从而实现从 p 型到 n 型的转变。
石墨烯 FET 展现出独特的电学特性：其伏安曲线呈现“V”字形，电导率在狄拉克点附近达到*小值；载流子迁移率远超硅基 FET，使其在高速开关和高频器件中具有潜在应用。然而，石墨烯本征零带隙的性质也限制了其作为数字逻辑器件的应用，因为难以实现高开关比。为此，研究者通过带隙工程（如纳米带切割、双层石墨烯电场调控、与其他二维材料构筑异质结）来改善器件特性。机械剥离制备的石墨烯 FET 常用于研究石墨烯的基础物理性质，如量子霍尔效应、电子相干输运、狄拉克费米子行为等。随着二维电子学的发展，石墨烯 FET 在射频电子学、柔性传感器和透明电子器件中展现出广阔应用空间。
用途：科研
尺寸：可定制
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