AI时代，存储『芯片』已从配角跃升为核心瓶颈与突破口。随着大模型参数规模与训练数据量的爆炸式增长，传统内存技术已成为制约算力发挥的“内存墙”，而HBM凭借其超高带宽、低功耗和小体积特性，正成为AI『芯片』的主流选择。
上期讲了DRAM/LPDDR5 全产业链核心玩家剖析 今天我们来看看HBM的产业链、竞争也很激烈！
据集邦咨询 2025 年 Q2《HBM 产业白皮书》，全球 HBM 市场规模飙至 68 亿美元💵，一年暴涨 209%，但在刚过去的9月最新消息显示，三星已开始对 HBM3E 降价促销，而 SK 海力士刚宣布完成全球首款 HBM4 量产体系搭建，AI 性能直接飙升 69%！
更关键的是，国产 HBM 从 “0 量产” 冲到 Q2 占全球 2.3%，且赛腾股份、中微公司等设备商已批量出货
今天用 Q3 最新数据拆解全产业链，告诉你谁能抢千亿蛋糕，避开伪概念陷阱。
我收集整理了相关研究报告，已更新上传：
先说下什么是HBM？HBM即高带宽存储，是一种基于硅通孔（TSV）和微凸点（Micro - bumps）技术，将多层DRAM die垂直堆叠，每层die通过TSV穿透硅通孔+μbumps技术实现与逻辑die连接，从而在小体积空间内实现高带宽、高传输速度的存储产品，主要应用于AI『服务器』GPU显存，也可用于CPU内存『芯片』等，是高性能计算中解决“内存墙”和“功耗墙”问题的关键技术。
一、HBM 最新重磅动态
1. 国际三巨头竞速 HBM4：美光定档量产时间，三星提前样品交付
9 月 25 日美光在财报电话会议中明确，HBM4 将于 2026 年 Q2 正式量产，且已向客户出样传输速率达 11Gbps 的版本（超 JEDEC 规范的 10Gbps 要求）同时计划 2027 年推出 HBM4E，该版本基础逻辑裸片将转由台积电代工以提升良率。
而三星则加速追赶，7 月底已向『英伟达』、AMD 交付 HBM4 样品，8 月进一步送出 16Hi 高堆叠版本，量产时间从原计划的 2026 年提前至 2025 年底，试图打破 SK 海力士的先发优势。
目前 SK 海力士仍保持领先，已完成 HBM4 量产体系搭建，其产品带宽较 HBM3E 翻倍，接入客户系统后 AI 性能可提升 69%，且正与台积电联合推进第六代技术研发。
图源：SK海力士
2. 国产设备阵营再扩容：精智达切入检测环节，鼎龙股份材料通过验证
调研显示，精智达的 HBM 外观检测设备已通过长鑫存储验证并实现小批量供货，成为继赛腾股份后第二家具备 HBM 检测设备量产能力的国产厂商，其设备检测精度达 5 微米，比肩日本 SCREEN 产品，单价仅为进口设备的 60%。
材料端突破同样显著，鼎龙股份的 HBM 专用 CMP 抛光垫于 9 月下旬通过长江存储测试，良品率达 92%，预计 Q4 开始批量供货，打破陶氏化学的垄断。
截至目前，国产 HBM 设备在 TSV 刻蚀、晶圆减薄、检测等核心环节均已实现突破，长鑫存储三期产线国产设备采购占比已从 Q3 的 62% 提升至 Q4 的 68%。
3. 需求端迎增量：手机巨头试水 HBM，2030 年市场规模将冲 980 亿美元💵
21 世纪经济报道 9 月 24 日披露，小米、vivo 等手机厂商正与国产存储企业沟通，计划在 2026 年推出的旗舰机型中搭载 HBM2e 『芯片』，用于提升 AI 大模型本地运行效率，单机搭载容量预计为 8-16GB，这将为 HBM 市场开辟消费电子新场景。
行业规模预测进一步上调：
Yole 数据显示，2024 年 HBM 市场规模约 170 亿美元💵，预计 2030 年将飙升至 980 亿美元💵，年均复合增长率超 33%；
瑞银则指出，HBM 对全球 DRAM 市场的收入贡献将从 2023 年的 6% 跃升至 2026 年的 38.3%。
4. 价格分化加剧：HBM3e 短期维稳，HBM4 溢价空间达 30%
TrendForce 9 月 29 日最新报告调整价格预测：受三星 HBM3E 12hi 产品即将通过『英伟达』认证影响，2026 年 HBM3E 价格将同比下降 10%-15%，但短期（2025 年 Q4）因特斯拉、浪潮等大客户抢单，价格仍将维持在 180-200 美元💵 / 颗高位。
而 HBM4 因技术门槛提升（如 10Gbps 以上传输速率、16Hi 堆叠），溢价空间显著，集邦咨询预测其上市初期价格将比 HBM3E 高 30%，且定制化版本（如美光计划推出的客户专属逻辑裸片）毛利率可超 60%。
值得注意的是，普通 DRAM 价格已出现分化，DDR4、LPDDR4X Q4 预计降价 5%-8%，而 HBM 所在的高性能 DRAM 板块仍保持独立上涨行情。
二、HBM 制造的核心门槛在材料与设备，过去 90% 依赖进口，但现在格局变了。
1.上游材料与设备：国产设备批量出货！9 月新增两家突破企业
全球HBM市场规模预测(单位:亿美元💵)
安集科技在 2025 年半年度业绩预告中披露，其 HBM 专用抛光液 Q2 通过长江存储验证，供货量环比 Q1 增长 300%，单价比进口低 25%，上半年营收 8.6 亿元，其中 HBM 业务贡献 35%。
更值得关注的是9月份：赛腾股份在投资者互动中确认，公司 HBM 检测设备已得到海外大客户认可并批量出货，国内正同步开拓长鑫存储、武汉新芯订单；
中微公司则在先进封装领域全面布局，其用于 HBM 工艺的 TSV 深硅通孔设备已实现量产交付，直接打破应用材料的垄断。
从行业动态来看，华海清的 HBM 晶圆减薄机订单已排至 2026 年 Q1，累计向长鑫存储交付 12 台，每台单价超 2000 万元，环比 Q1 订单量增长 200%。这类上游企业直接绑定国产 HBM 扩产节奏，业绩确定性比制造端更易验证。
2. 中游制造：国际巨头杀价抢单！国产产能加速突围应对
全球 HBM 制造格局在 9 月迎来剧烈变动。
一方面，SK 海力士 12 日宣布完成 HBM4 开发，带宽较 HBM3E 翻倍，能效提升 40%，预计接入客户系统后 AI 性能最高提升 69%，且已率先构建量产体系；
而三星则因 HBM3E 供给即将过剩，已向客户提出降价提案，同时将 HBM4 量产时间推迟至 2026 年，计划 Q3 交付样品。集邦咨询预测，2026 年 SK 海力士仍将稳坐『英伟达』 HBM4 最大供应商宝座。
国内方面，长鑫存储计划 ，HBM3 产品将在2026年 实现量产。
面对国际巨头的技术与价格夹击，长鑫存储加速扩产
—— 据行业消息，其三期工厂 HBM 产线设备采购中，国产设备占比已从 Q2 的 45% 提升至 Q3 的 62%，2026 年月产能目标仍维持 5 万片。
不过需注意，结合美国 BIS 管制新规，国产企业需加快全链条自主化，避免供应链断档风险。
3. 下游封测与应用：特斯拉入局抢货！Q3 涨价潮蔓延全品类
HBM 制造完成后，“先进封装” 是决定性能的关键一步。长电科技在 2025 年 Q2 业绩快报中提及，其在国产 HBM 封测市场占比达 80%，CoWoS 封装技术良率突破 96%，已为长鑫存储 HBM3 提供全流程封测服务，Q2 封测业务营收 16.8 亿元，其中 HBM 相关贡献 42%。
应用端的需求在 9 月再添重磅变量：特斯拉已向 SK 海力士和三星表达采购 HBM4 的意向，用于自研 AI 『数据中心』及自动驾驶汽车，叠加『英伟达』要求 HBM4 规格升级至 10Gbps，进一步加剧供需紧张。
IDC 数据显示，2025 年 Q2 全球 AI 『服务器』出货量同比增长 150%，而 TrendForce 预测，Q3 含 HBM 在内的整体 DRAM 涨幅将达 15% 至 20%，其中 Consumer DDR4 价格季增 40% 至 45%。
浪潮信息在 Q2 采购招标中透露，已向长鑫存储追加 2 万片 HBM 订单，占其 Q2 总需求的 30%。
这印证了 HBM 需求已从 “概念炒作” 转向 “实际刚需”，布局下游需重点关注与 AI 『服务器』、车企深度绑定的企业。
总结一下：9 月 HBM 行业迎来 “技术迭代 + 价格博弈 + 需求扩容” 三重变局，上游国产设备商因批量出货迎来爆发期，中游制造端需在国际竞争中加速突破，下游则受益于特斯拉等新玩家入局，三大环节共同构成核心增长赛道，相关企业的技术进展与订单落地值得重点跟踪。
