【摘要】11月23日，长鑫存储在IC China 2025上发布最新DDR5系列产品，最高速率达8000Mbps、单颗容量最高24Gb，跻身国际顶级性能梯队。
同步亮相的LPDDR5X产品与之形成“双芯共振”布局，最高速率突破10667Mbps，16Gb容量节点实现关键技术跨越。
这标志着中国存储『芯片』技术以“领先者”姿态站上全球舞台。
这一里程碑背后，长鑫存储用不到十年的时间从零起步，突破专利封锁、补齐技术体系，并实现对国际巨头的正面追击，其背后的发展路径与成功要素值得深入剖析。
以下为正文：
在全球『半导体』产业链中，DRAM被视为最难突破的领域之一。
该赛道被韩国三星、SK海力士和美光三大巨头垄断，专利、工艺和资本壁垒层层叠加，中国企业始终难以进入核心区。
长鑫存储却在不到十年的时间里，从一纸立项走到量产、再到冲刺IPO，成为国产存储突围的代表。
它的崛起，是国家战略需求、地方产业政策和企业技术攻坚共同托举的结果。
01
量产破局：打响国产DRAM第一枪
长鑫存储的起点或源于一次收购失败。
2015年，兆易创新收购尔必达计划失败。这次折戟，让国内产业界真正意识到DRAM行业的牢固壁垒。全球市场长期由三星、SK 海力士和美光“三巨头”垄断，核心专利高度集中，国内企业仍处于技术受限的被动局面。
此时，合肥市政府抛出橄榄枝，提出“政府出资、企业出人出力”的合作模式。双方很快达成一致：共同投资建设DRAM项目。
2016年，长鑫存储正式成立，承担起国产DRAM攻关的重任。
2018年，一期厂房建设完成，设备搬入并开始验证投片。
2019年9月，与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。
同年12月，长鑫成功实现规模化量产，并于次年（2025年）正式推向市场。这是中国大陆首次拥有自主可控的DRAM量产能力，国产技术攻坚战正式打响。但当时的工艺仍落后国际两代，追赶只是刚刚开始。
02
地方托举：资本、生态与人才
DRAM是『半导体』产业中最典型的“百亿起步”赛道。投入大、周期长，没有强大的资本托底，很难熬到见效的那一天。
长鑫的快速起势，离不开合肥在资本层面的鼎力支持。
2016年，合肥市政府瞄准国家集成电路产业发展战略，联合兆易创新共同启动总投资1500亿元的DRAM项目。其中，合肥市政府牵头投入130亿元，带动安徽国资体系及社会资本共同形成360亿元的首期资金池，为项目夯实了关键一步。
至2025年A轮融资，“以投带引”的国资模式效果凸显。合肥产投等核心平台持续持股，向市场释放出坚定的长期支持信号，大基金二期、小米集团等知名机构随即积极入局。
2024年，合肥产投通过合肥产投壹号股权投资合伙企业参与108亿融资，加上关联主体长鑫集成的出资，形成国资对本轮融资的直接托底。
产业生态上，合肥以长鑫为核心，打造本地化『半导体』集群。上游引入广钢气体、上海新阳、至纯科技等企业，推动国产设备和材料的验证与替代；下游联合兆易创新、联宝科技等企业，拉动终端需求。
人才层面，安徽省教育厅鼓励中科大、合工大等高校与长鑫存储等集成电路头部企业深度融合。据悉，合肥工业大学与长鑫共建的“研究生联合培养基地”入选首批省级基地，合作方向涵盖集成电路设计、工艺等关键领域，提供持续的人才供给。
“强资本、强生态、强人才”多维共振，让长鑫存储在合肥顺利扎根，并加速驶入高质量发展的快车道。
03
全线提速：技术追赶、产能狂飙
自此，长鑫存储进入高速爬坡阶段，在技术、产能与市场三条主线上全面提速。
技术方面，专利+人才双突破。
早在发展初期，长鑫就与欧洲DRAM技术先驱奇梦达合作，拿下1000多万份技术文件及2.8TB核心数据，搭建起研发基础框架。
后续又收购英飞凌、美国蓝铂世部分DRAM专利和实施许可，持续筑牢专利护城河。
此外，长鑫请来奇梦达两位“老兵”：任职24年的前技术副总裁库斯特（Karl Heinz Kuester），以及曾主导奇梦达西安研发中心的濮必得（Peter Poechmueller），组成顾问团为技术迭代保驾护航。
在此基础上，长鑫深挖DUV设备潜力，通过制程优化、材料迭代不断缩小差距：从19nm到17nm，再到2024年量产16nm DDR5；2025年更在IC China发布新一代产品，DDR5最高速率达8000Mbps，LPDDR5X达10667Mbps，正式跻身全球 DRAM一线阵营。
产能方面，自2016年合肥DRAM基地一期项目启动后，2020-2025年，北京DRAM一期、二期项目先后启动，逐步扩大厂房建设。
2022年1月，北京一期试产线通线；同年6月，合肥二期厂房封顶。
2024年底，长鑫存储月产能23万片晶圆，2025年底升至28万片，2026年剑指30万片，逐步缩小与三星、SK海力士的差距。
依托国内土地、能源、人力成本优势，长鑫扩产成本比韩国厂商低约40%，产品价格也低10%-15%，在消费电子、物联网等价格敏感领域站稳脚跟，抵御外商产能垄断的冲击。
市场端，技术与产能的突破，叠加今年存储行情回暖，让长鑫存储快速打开局面。
当前，北美AI『服务器』需求暴增，存储『芯片』供需缺口拉大，DRAM市场进入上行周期。集邦咨询数据显示，2025年三季度传统 DRAM 价格环比涨10%-15%，含 HBM 则涨15%-20%，四季度预计再涨8%-13%（含 HBM 13%-18%）。
摩根士丹利指出，DDR5 现货价格在过去两个月内飙升超 260%，热度可见一斑。
这波行情为长鑫带来双重机遇：一方面，其16nm DDR5、高速率 DDR5/LPDDR5X 产品，契合『服务器』、高端手机的性能需求，具有广阔市场需求；另一方面，价格上涨周期中，长鑫的技术优势能进一步放大盈利空间。
目前，长鑫存储的产品已通过多家主流存储模组商和方案设计公司，间接导入至小米、OPPO、vivo、传音等主流手机品牌的供应链中，物联网领域合作落地，『服务器』领域也即将突破。Counterpoint预测，2025年底长鑫DDR5市占率或升至7%，LPDDR5X 接近 10%，全球话语权持续提升。
但是，DRAM的周期性风险仍需警惕。存储产品像大宗商品一样，对供需敏感、价格波动大；且扩产周期长达 2-3 年，产能与需求易错配。
一旦未来 AI 『服务器』需求放缓、行业产能过剩，长鑫可能面临库存积压、价格下跌、现金流承压的多重压力。
如何在周期波动中平衡扩张与风控，仍是其长期发展的核心课题。
04
尾声
2025年7月，长鑫启动A股IPO辅导，仅用三个月完成验收，上市进程明显加速。市场普遍预期其估值约1400亿元，募资规模接近300亿元，主要用于推进15nm工艺与3D DRAM研发。
上市对长鑫而言，是从“追赶”迈向“加速”的关键跳板。它将带来更充裕的资本、更完善的治理机制，也将推动公司在HBM、先进封装、国产设备适配等领域展开新一轮投入。
总体来看，长鑫存储已经走在国产DRAM突围的最前线。从破局起步到产业生态托举，再到技术与产能的加速成长，它已经证明国产DRAM“能做、能量产、能追近”。下一步，则是向‘并跑’乃至‘领跑’的目标发起冲击。
而随着上市临近，一个更市场化、规模化、体系化的长鑫，也正在路上。
