（来源：第三代『半导体』产业）
近日，深圳平湖实验室第三代跃升团队在碳化硅结型场效应晶体管JFET集成电路（IC）研发上取得阶段性进展，成功开发并验证SiC JFET IC技术路线。相比国际先进高温碳化硅JFET IC ±25V电源电压，实验室碳化硅IC逻辑门电路、单级放大器、差分放大器等IC结构可以在±5V及以下电源电压水平下正常工作，实现设计功能。
图一 SiC JFET IC OM及SEM图
该SiC JFET IC平台基于深圳平湖实验室先进的8英寸SiC中试平台开发，同时兼容SiC功率JFET与JFET集成电路（IC）技术工艺，可以满足不同电阻规格的JFET与JFET IC技术开发需求。基于平台器件电性测试结果提取SPICE模型，可以较好拟合单级放大器电性测试结果（图二右）。设计差分放大器结构进一步优化后，基于SPICE模型仿真，在-5.90V的共模电压下，可实现39.1dB差分电压增益和407kHz的-3dB带宽，以及极高输入阻抗。
图二 （左）兼容SiC功率JFET与JFET IC的多项目晶圆照片 （右）提取单级放大器SPICE模型与实测数据对照 （下）差分放大器波特图
SiC JFET作为性能优异的新型功率『半导体』器件，可以实现极端高温场景应用。特别是在500℃高温环境短期工作场景。实验室通过高温器件设计，不使用Pt、Au等贵金属方案，获得可以500℃可靠工作1小时碳化硅IC样品。
图三 碳化硅集成电路IC可靠性测试
深圳平湖实验室同时探索了高温JFET驱动与功率器件全集成方案，并已获得中国专利授权（公开号：CN120091622B）。
这一技术进展为我国在高端功率『半导体』领域的自主可控提供了有力支撑，未来将在极限环境电子系统等关键领域具有广阔应用前景。
