《科创板日报》3月1日讯随着『英伟达』Vera Rubin出货节点日益临近，存储巨头围绕HBM4市场份额的霸权争夺战已然打响。
三星率先亮出底牌。据ZDNet Korea近日报道，『三星电子』决定增大其第六代10nm级DRAM『芯片』的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的性能。据悉，『芯片』尺寸的扩大能保证TSV（硅通孔）工艺的稳定性，HBM4由于I/O数量增加，需要在DRAM中设置更多的TSV孔。
当三星的DRAM拥有更大的可用面积，TSV布局方面即可获得更大的灵活性，如降低了TSV密度，便于散热并确保可靠性。
问题在于，增大DRAM尺寸或意味着利润缩水——因将减少每片晶圆可生产的『芯片』数量。此外，『三星电子』在HBM4核心『芯片』中采用了领先竞争对手一代的1c DRAM技术，然而1c DRAM的良率仍然只有60%左右，其正集中精力提高良率，同时抢先为『英伟达』大规模生产HBM4。
不过，三星对其尖端工艺充满信心，其在日前举行的HBM4量产启动仪式上宣称：“从HBM4开发之初，我们就设定了超越JEDEC（联合电子设备工程委员会）标准的性能目标”，并且“从量产之初，我们就确保了稳定的良率和行业领先的性能，而无需重新设计。”
资料显示，JEDEC最初仅将HBM4的性能标准设定为8 Gbps，但内存供应商最近将其提高到11.7 Gbps，并与『英伟达』一起进行了测试。
横向对比来看，针对HBM控制器的基础『芯片』，三星采用自家晶圆代工厂的4nm工艺进行量产，相比SK海力士采用台积电工艺的12nm工艺有了显著提升。此外，SK海力士和美光在其HBM4『芯片』中使用了与HBM3E相同的1b DRAM『芯片』。
在HBM4销售上，三星已取得些许优势。根据市场调查机构Omdia的报告，『三星电子』2025年第四季DRAM市占率达36.6%，SK海力士以32.9%屈居第二，主要得益于三星第六代高带宽內存HBM4的销售增长。
另一方面，SK海力士在量产进度上进行追赶。据此前报道，SK海力士将其位于清州的“HBM4专用工厂”M15X工厂的量产计划提前了四个月，于本月开始量产用于HBM4的1b DRAM晶圆。该工厂初期规划约为1万片，预计到今年底将提升至数万片。
