W25N01GVZEIG，Winbond/华邦，3V 1G-BIT 串行 SLC NAND 闪存，支持双路 / 四路 SPI
W25N01GVZEIG，Winbond/华邦，3V 1G-BIT 串行 SLC NAND 闪存，支持双路 / 四路 SPI
W25N01GVZEIG，Winbond/华邦，3V 1G-BIT 串行 SLC NAND 闪存，支持双路 / 四路 SPI
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W25N01GV（1G‑bit）串行 SLC NAND 闪存为空间、引脚及功耗受限的系统提供存储解决方案。W25N SpiFlash 系列采用通用 SPI 接口与传统大容量 NAND 非易失性存储空间。该系列非常适合将代码映射到 RAM、通过双路 / 四路 SPI 直接执行代码（XIP），以及存储语音、文本和数据。器件采用单电源 2.7V～3.6V 供电，工作电流低至 25mA，待机电流低至 10µA。所有 W25N SpiFlash 系列器件均采用节省空间的封装，这在传统 NAND 闪存中难以实现。 W25N01GV 的 1G‑bit 存储阵列组织为 65,536 个可编程页，每页 2048 字节。可利用 2048 字节内部缓冲器一次性对整页编程。以 64 页为一组进行擦除（128KB 块擦除）。W25N01GV 共有 1024 个可擦除块。 W25N01GV 支持标准 SPI、双路 / 四路 I/O SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（/WP）、I/O3（/HOLD）。支持最高 104MHz SPI 时钟，在快速读取双路 / 四路 I/O 指令下，等效时钟频率可达： 双路 I/O：208MHz（104MHz × 2） 四路 I/O：416MHz（104MHz × 4） W25N01GV 提供全新连续读取模式，只需一条读取指令即可高效访问整个存储阵列，非常适合代码映射应用。 器件具备 HOLD 引脚、写保护引脚与可编程写保护功能，提供更高控制灵活性。此外，器件支持 JEDEC 标准厂商 ID 与器件 ID、1 个 2048 字节唯一 ID 页、1 个 2048 字节参数页以及 10 个 2048 字节 OTP 页。为提升 NAND 闪存管理能力，W25N01GV 还支持用户可配置的内部 ECC 与坏块管理。 2. 特性 全新 W25N 系列 SpiFlash 存储器 W25N01GV：1G‑bit / 128M‑byte 标准 SPI：CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold 双路 SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/Hold 四路 SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3 与 SPI 串行闪存指令兼容 高性能串行 NAND 闪存 标准 / 双路 / 四路 SPI 时钟高达 104MHz 等效双路 / 四路 SPI 频率：208/416MHz 连续数据传输速率达 50MB/S 快速编程 / 擦除性能 擦写次数大于 100,000 次 数据保存时间大于 10 年 高效 “连续读取模式” 作为缓冲读取模式的替代方案 读取指令间无需发送 “页数据读取” 指令 可直接读取访问整个存储阵列 低功耗、宽温范围 单电源 2.7V～3.6V 工作电流 25mA，待机电流 10µA 工作温度：‑40℃～+85℃ 灵活架构，128KB 块结构 统一 128K‑Byte 块擦除 灵活的页数据加载方式 高级功能 片内 1‑bit ECC 支持 ECC 状态位指示校验结果 坏块管理与查找表（LUT）访问 软件与硬件写保护 电源锁定与 OTP 保护 2KB 唯一 ID 页与 2KB 参数页 10 个 2KB OTP 页 节省空间的封装 8‑pad WSON 8×6‑mm 16‑pin SOIC 300‑mil 24‑ball TFBGA 8×6‑mm 其他封装可联系华邦电子
